資料介紹
Hi-Fi界有一句至理名言,就是“簡(jiǎn)潔至上”。這就是說,假如能用一個(gè)元件或器件做成的電路,就盡量不用兩個(gè)。電子電路中常用的電子元件有電阻、電容、電感等,常用的電子器件有二極管、三極管及集成電路等。電阻、電容都屬于線性元件,在放大電路中可以認(rèn)為不會(huì)因它們而產(chǎn)生非線性失真。但是,目前用于放大的電子器件,不論是電子管、晶體管,還是集成電路,統(tǒng)統(tǒng)都是非線性器件,它們是放大電路中產(chǎn)生非線性失真的根源。因此,在放大電路中應(yīng)盡量少用管子。要做到這一點(diǎn)也并非容易,所以通常所見到的放大電路都比較復(fù)雜。要想“簡(jiǎn)潔”,必須解決兩個(gè)問題:一是放大倍數(shù)要足夠大,至少應(yīng)該在接CD機(jī)時(shí)能夠達(dá)到額定的輸出功率;二是非線性失真要盡量小些,在不加負(fù)反饋或只加少量的負(fù)反饋時(shí),諧波失真系數(shù)能夠達(dá)到Hi-Fi要求。
功率放大器的輸出電路方式,可按有無輸出變壓器分為兩類。無輸出變壓器的功放電路為了使揚(yáng)聲器中無直流電流通過,必須采用電容耦合(OTL電路)或者正負(fù)兩套電源(OCL電路)。本文介紹的晶體管甲類音頻放大器選用變壓器輸出的單管放大方式,每聲道只用兩只管子,而若采用互補(bǔ)推挽電路,則至少要用四五只管子。由于所用的輸出變壓器初級(jí)阻抗只有幾十歐姆,所以繞制起來很容易,性能也很容易達(dá)到要求。采用變壓器輸出的一個(gè)突出優(yōu)點(diǎn)就是可以避免燒揚(yáng)聲器。另外,變壓器次級(jí)線圈極小的直流電阻,會(huì)改善揚(yáng)聲器的阻尼,使瞬態(tài)失真減小。
電路結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)
該晶體管甲類音頻功率放大器電路及電源電路如圖1所示。這一功放電路具有高達(dá)15W的有效值輸出功率,它只用兩只晶體管,并把它們直接相連,復(fù)合成一只高跨導(dǎo)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這是筆者受到絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的啟發(fā)偶爾想到的。IGBT是一種新型半導(dǎo)體功率器件,已成功地應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中,近幾年在高保真聲頻功率放大器中也常見到它的蹤影。它兼有雙極型晶體管(即普通PNP、NPN晶體管)和單極型晶體管(即場(chǎng)效應(yīng)管)兩者的優(yōu)點(diǎn),但沒有兩者各自的缺點(diǎn),所以應(yīng)用前景非常廣闊。普通晶體管的飽和壓降小,但開關(guān)速度慢,而且是正溫度系數(shù)。場(chǎng)效應(yīng)管不需要輸入電流,開關(guān)速度快,具有負(fù)的溫度系數(shù),但是導(dǎo)通電阻較大。IGBT的等效電路如圖2所示,圖中(a)示出了由P溝道場(chǎng)效應(yīng)管和NPN型晶體管復(fù)合而成的IGBT等效電路,(b)示出了由N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和PNP型晶體管復(fù)合而成的IGBT等效電路。由于目前的IGBT主要設(shè)計(jì)目的是用于開關(guān)電路而不是線性放大電路,所以其輸出特性曲線的線性不太好。筆者采用了一只性能優(yōu)良的日立名管2SJ77與一只國(guó)產(chǎn)大功率晶體管3DD9按IGBT結(jié)構(gòu)復(fù)合成輸出管。2SJ77(互補(bǔ)管為2SK214)是專門設(shè)計(jì)用于線性放大的中功率MOSFET,在高保真功率放大器中常用作推動(dòng)管,口碑頗好。其跨導(dǎo)高達(dá)40mA/V(或40mS),輸入電容CIS為90pF,還不到大功率場(chǎng)效應(yīng)管2SJ49(2SK134)輸入電容的六分之一。
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