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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子元器件應(yīng)用>MOS 電容器大綱

      MOS 電容器大綱

      2009-11-17 | rar | 466 | 次下載 | 3積分

      資料介紹

      MOS 電容器大綱
      ·通告：
      下發(fā)資料
      講稿大綱和摘要
      下周三復(fù)習(xí)課將進(jìn)行測(cè)驗(yàn)
      ·定性描述：-熱平衡狀態(tài)下的金屬氧化物半導(dǎo)體
      結(jié)構(gòu)定義：金屬/二氧化硅/p 型（例子：n-MOS）
      金屬和硅有關(guān)的靜電勢(shì)：?m
      零偏的情況：如果：?m > ?pSi，
      硅表面耗盡
      反向偏置：從耗盡到平帶到積累
      正向偏置：耗盡到臨界到反型層
      ·定量模型：熱平衡狀態(tài)下的金屬氧化物
      耗盡近似法應(yīng)用于??S電容器
      ?平帶電壓：VFB
      ?積累層電荷密度：qA*
      ?最大耗盡寬度XDT
      ?開(kāi)啟電壓：VT
      ?反型層電荷密度：qN*
      ·偏置金屬氧化物半導(dǎo)體在臨近區(qū)域的應(yīng)用
      耗盡層的寬度
      開(kāi)啟電壓的影響
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