資料介紹
ESD Testing of MOS Gated Power Transistors:All semiconductor components have been proven to be static sensitive to varying degrees. User's concern on this
subject has resulted in a significant effort being expended on the following areas:
1. Device design aimed at improving ESD tolerance
2. Device handling techniques
3. Device characterization for ESD
4. ESD inspection of incoming devices
subject has resulted in a significant effort being expended on the following areas:
1. Device design aimed at improving ESD tolerance
2. Device handling techniques
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