IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL超低功耗CMOS靜態(tài)RAM的數(shù)據(jù)手冊
資料介紹
he/SS/IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態(tài)RAM,由5個12K字和16位組成。它是用ISS/Ts高性能CMOStechnology制造的。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術相結合,在CS1高(取消選擇)或CS2低(取消選擇)或CS1低、CS2高以及HLB和UB都高的情況下,可產(chǎn)生高性能和低功耗的設備,該器件采用待機模式,在待機模式下,可以通過CMOS輸入電平降低功耗,通過使用芯片使能和輸出使能輸入提供存儲器擴展。主動低寫使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。Adata byte允許上字節(jié)(UB)和下字節(jié)(LB)訪問ls62wv51216alland S62wv51216bllare包JEDEC標準4針小型BGA(7)。2毫米8。7MM和44針TSOP
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