高壓懸浮門驅(qū)動(dòng)IC的應(yīng)用指南的資料合集免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是高壓懸浮門驅(qū)動(dòng)IC的應(yīng)用指南的資料合集免費(fèi)下載對(duì)于采用功率MOSFET或者IGBT作為高端開關(guān)（漏極跟高電壓輸入線相連，如圖1所示）并在全增強(qiáng)（也就是說(shuō)，兩個(gè)端子之間有最低的壓降）下驅(qū)動(dòng)的門驅(qū)動(dòng)要求可以總結(jié)如下：

　　1. 門極電壓必須比漏極高出10V到15V。作為一個(gè)高端開關(guān)，這樣的門電壓必定比輸入電壓高，通常是系統(tǒng)可提供的最高電壓。

　　2. 門極電壓一定是通過(guò)邏輯信號(hào)控制的，而信號(hào)本身通常以地為參考。因此必須把邏輯控制電平轉(zhuǎn)換到高端功率器件的源極。在多數(shù)情況下，這個(gè)電平會(huì)在輸入和地之間變化。

　　3. 門極驅(qū)動(dòng)電路所消耗的功率不應(yīng)該明顯地影響整體效率。

　　有了這些約束之后，目前有幾種技術(shù)用來(lái)實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能，如表格I原理所示那樣（見29頁(yè)）。 每種基本電路可以由各式各樣的方法實(shí)現(xiàn)。國(guó)際整流器公司的MOS門驅(qū)動(dòng)器族（MGD）集成了大部分所要求的功能，將絕大部分用來(lái)驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)和低壓側(cè)的MOSFET或IGBT的功能都集成在一個(gè)緊湊、高性能封裝里。對(duì)IRS2110來(lái)說(shuō)，只要提供少數(shù)幾個(gè)元件，就可以達(dá)到高速的開關(guān)頻率，同時(shí)損耗很低。如表格II中所示（見30頁(yè)）。它們可以通過(guò)自舉或者懸浮電源的方式工作。在這種自舉模式下使用，它們能工作于從數(shù)十赫茲到幾百kHz范圍的大多數(shù)應(yīng)用。