大功率的同步升壓芯片Hb6803應(yīng)用指南資料免費(fèi)下載

　　一：pcb 布線：

　　a： 單點(diǎn)接地，把所有 hb6803 周邊元件的地先接到 hb6803 的第7腳，第8腳，再接到最后一個(gè)輸出電容的地上。必須這樣做，也很容易做到。大電流的電源+和地，都必須先經(jīng)過電容的+和地才能給負(fù)載供電，不可以不經(jīng)過電容直接對(duì)負(fù)載供電（等于電容容量下降很多）。FB的上拉電阻+電容和下拉電阻最好靠近hb6803的第6 腳，Vout 走線最好不要通過電感，主 mosfet 的（LX 線）下面，否則會(huì)引入干擾，如果萬不得已必須走，則請(qǐng)?jiān)诳拷?6 腳附近加個(gè) 1uf 電容對(duì)地濾波。

　　b： 主回路（大電流走線）越短越好，含電源正和地線。一者走線有內(nèi)阻，大電流會(huì)發(fā)熱。二者走線長(zhǎng)，EMC 和 EMI 都不好過關(guān)，相當(dāng)于電路中加入漏感。為了進(jìn)一步減少交流阻抗，可以把輸入的瓷片電容的地，下功率管的地，和輸出瓷片電容的地靠很近，（可以放第二面，和下功率管的反面）。非常有效的減少交流阻抗。

　　二：mosfet 的選擇：不光是考慮內(nèi)阻，主要考慮的是 mosfet 的開關(guān)損耗，有幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)特別注意：a： tr 上升沿時(shí)間。b： toff 下降沿時(shí)間。c： Ciss，Ciss 越少越好，單管建議不要超過 2500pf 為好。Ciss 太大，會(huì)讓 hb6803 發(fā)熱，同時(shí)功率管開通關(guān)斷損耗加大，降低效率，從而增加發(fā)熱。暫時(shí)小功率的 aon7544（30V），aon6504（30V），中功率的 aon6974（30V），aon6234（40V），IRFHM8334（30V）， TPH7R006RL 不錯(cuò)。Aod4186 和 aod4184 也行，（比 aon6234 差些）， 60V 的管子在繼續(xù)選擇。我強(qiáng)烈建議在 100w 以及以下的應(yīng)用上，選用好的 mosfet，不要用散熱片，降低成本，減少空間。