資料介紹
TC4421/TC4422 是強(qiáng)電流緩沖器/ 驅(qū)動(dòng)器,能夠驅(qū)動(dòng)大
功率MOSFET 和IGBT。
這些器件基本上不受任何干擾因素的影響,除非直接過(guò)
壓或功耗過(guò)大。只要在其功率和電壓范圍內(nèi),任何情況
都不會(huì)使它們閉鎖。當(dāng)接地端的地彈反射(Ground
Bounce)小于等于5V 的情況下,這些器件不會(huì)受損或
產(chǎn)生誤操作。它們還可以承受被強(qiáng)制返回到輸出端的任
何極性的大于1A 的感應(yīng)電流,而不會(huì)造成器件損壞或
邏輯混亂。此外,所有引腳都被充分地保護(hù),能承受最
高為4 kV 的靜電放電。
TC4421/TC4422 的輸入端可以由TTL 或CMOS (3V
至18V)直接驅(qū)動(dòng)。此外,輸入端有300 mV 的遲滯電
壓,可以防止噪聲干擾,并允許使用緩慢升高或降低的
波形來(lái)驅(qū)動(dòng)器件。
TC4421/TC4422系列的9A MOSFET驅(qū)動(dòng)器采用表面貼
裝和過(guò)孔封裝形式,并且有4 種工作溫度范圍可供選
擇,適用于大多數(shù)需要很高的門/ 線容性驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
功率MOSFET 和IGBT。
這些器件基本上不受任何干擾因素的影響,除非直接過(guò)
壓或功耗過(guò)大。只要在其功率和電壓范圍內(nèi),任何情況
都不會(huì)使它們閉鎖。當(dāng)接地端的地彈反射(Ground
Bounce)小于等于5V 的情況下,這些器件不會(huì)受損或
產(chǎn)生誤操作。它們還可以承受被強(qiáng)制返回到輸出端的任
何極性的大于1A 的感應(yīng)電流,而不會(huì)造成器件損壞或
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至18V)直接驅(qū)動(dòng)。此外,輸入端有300 mV 的遲滯電
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波形來(lái)驅(qū)動(dòng)器件。
TC4421/TC4422系列的9A MOSFET驅(qū)動(dòng)器采用表面貼
裝和過(guò)孔封裝形式,并且有4 種工作溫度范圍可供選
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