資料介紹
在開關電源設計中,功率變壓器的設計極為關鍵,尤其是工作頻率提高后,要達到電源的功率密度盡量高,同時要滿足較好的EMC指標有一定的難度。下面介紹一種變壓器設計方法,可大大改善開關電源的EMI噪聲。
由于一次側和二次側繞組間寄生電容的存在,變壓器“開關”時,在分界處存在dV/dt,將“靜默層”布置在絕緣膠帶的兩側,即一次側和Vin相連的一端,二次側和地相連的一端,分別布置在絕緣膠帶兩側,可以減小分界處寄生電容的dV/dt。由于場效應管的漏極電壓是波動的,將其繞為骨架的第一層,這樣外層可屏蔽內(nèi)層發(fā)射的電磁場。圖1和圖2給出了兩種低噪聲的繞線技術,可應用在典型的反激變換器變壓器中。
圖 1
方法一:如圖1所示,二次側繞組與二極管連接的末端必須緊鄰絕緣膠帶,因此絕緣膠帶的兩端將有一定大小的dV/dt,但該dV/dt比一次側繞組的漏極相連端與絕緣膠帶相鄰時小得多。此變壓器的優(yōu)點是二次側繞組的“靜默端”位于最外層,它本身就能很好的屏蔽變壓器的輻射。
圖 2
方法二:如圖2所示,使兩個靜默端與絕緣膠帶相鄰,此變壓器的優(yōu)點是穿越邊界的共模噪聲減小,但變壓器的外部噪聲比較大,需要在外部繞上銅皮屏蔽(即法拉第屏蔽)。
由于一次側和二次側繞組間寄生電容的存在,變壓器“開關”時,在分界處存在dV/dt,將“靜默層”布置在絕緣膠帶的兩側,即一次側和Vin相連的一端,二次側和地相連的一端,分別布置在絕緣膠帶兩側,可以減小分界處寄生電容的dV/dt。由于場效應管的漏極電壓是波動的,將其繞為骨架的第一層,這樣外層可屏蔽內(nèi)層發(fā)射的電磁場。圖1和圖2給出了兩種低噪聲的繞線技術,可應用在典型的反激變換器變壓器中。
圖 1
方法一:如圖1所示,二次側繞組與二極管連接的末端必須緊鄰絕緣膠帶,因此絕緣膠帶的兩端將有一定大小的dV/dt,但該dV/dt比一次側繞組的漏極相連端與絕緣膠帶相鄰時小得多。此變壓器的優(yōu)點是二次側繞組的“靜默端”位于最外層,它本身就能很好的屏蔽變壓器的輻射。
圖 2
方法二:如圖2所示,使兩個靜默端與絕緣膠帶相鄰,此變壓器的優(yōu)點是穿越邊界的共模噪聲減小,但變壓器的外部噪聲比較大,需要在外部繞上銅皮屏蔽(即法拉第屏蔽)。
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