高手進(jìn)階SDR的SDRAM內(nèi)存原理

作為電腦中必不可少的三大件之一（其余的兩個(gè)是主板與CPU），內(nèi)存是決定系統(tǒng)性能的關(guān)鍵設(shè)備之一，它就像一個(gè)臨時(shí)的倉(cāng)庫(kù)，負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的中轉(zhuǎn)、....

不過(guò)，雖然內(nèi)存對(duì)系統(tǒng)性能的至關(guān)重要，但長(zhǎng)期以來(lái)，DIYer并不重視內(nèi)存，只是將它看作是一種買主板和CPU時(shí)順帶買的“附件”，那時(shí)最多也就注意一下內(nèi)存的速度。這種現(xiàn)象截止于1998年440BX主板上市后，PC66/100的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)始進(jìn)入普通DIYer的視野，因?yàn)檫@與選購(gòu)有著直接的聯(lián)系。一時(shí)間，有關(guān)內(nèi)存時(shí)序參數(shù)的介紹文章大量出現(xiàn)（其中最為著名的恐怕就是CL參數(shù)）。自那以后，DIYer才發(fā)現(xiàn)，原來(lái)內(nèi)存也有這么多的學(xué)間。接下來(lái)，始于2000年底

/2001年初的VIA芯片組4路交錯(cuò)（4-Way Interleave）內(nèi)存控制和部分芯片組有關(guān)內(nèi)存容量限制的研究，則是深入了解內(nèi)存的一個(gè)新開(kāi)端。本刊在2001年第2期上也進(jìn)行了VIA內(nèi)存交錯(cuò)控制與內(nèi)存與模組結(jié)構(gòu)的詳細(xì)介紹，并最終率先正確地解釋了這一類型交錯(cuò)（內(nèi)存交錯(cuò)有多種類型）的原理與容量限制的原因。從那時(shí)起，很多關(guān)于內(nèi)存方面的深入性文章接踵而至，如果說(shuō)那時(shí)因此而掀起了量股內(nèi)存熱并不夸張，大量的內(nèi)存文章讓更多的用戶了解了內(nèi)存，以及更深一層的知識(shí)，這對(duì)于DIY當(dāng)然是一件好事情。