圖文百條：STM32知識匯總資料下載

STM32單片機學(xué)習(xí)筆記 1、AHB系統(tǒng)總線分為APB1（36MHz）和APB2（72MHz），其中2>1，意思是APB2接高速設(shè)備 2、Stm32f10x.h相當(dāng)于reg52.h（里面有基本的位操作定義），另一個為stm32f10x_conf.h專門控制外圍器件的配置，也就是開關(guān)頭文件的作用 3、 HSE Osc（High Speed External Oscillator）高速外部晶振，一般為8MHz，HSI RC（High Speed InternalRC）高速內(nèi)部RC，8MHz 4、 LSE Osc（Low Speed External Oscillator）低速外部晶振，一般為32.768KHz，LSI RC（Low Speed InternalRC）低速內(nèi)部晶振，大概為40KHz左右，提供看門狗時鐘和自動喚醒單元時鐘源 5、 SYSCLK時鐘源有三個來源：HSI RC、HSE OSC、PLL 6、 MCO[2：0]可以提供4源不同的時鐘同步信號,PA8 7、 GPIO口貌似有兩個反向串聯(lián)的二極管用作鉗位二極管。 8、 總線矩陣采用輪換算法對系統(tǒng)總線和DMA進行仲裁 9、 ICode總線，DCode總線、系統(tǒng)總線、DMA總線、總線矩陣、AHB/APB橋 10、在使用一個外設(shè)之前，必須設(shè)置寄存器RCC_AHBENR來打開該外設(shè)的時鐘 11、數(shù)據(jù)字節(jié)以小端存儲形式保存在存儲器中 12、 內(nèi)存映射區(qū)分為8個大塊，每個塊為512MB 13、 FLASH的一頁為1K(小容量和中容量)，大容量是2K。 14、 系統(tǒng)存儲區(qū)（SystemMemory）為ST公司出廠配置鎖死，用戶無法編輯，用于對FLASH區(qū)域進行重新編程。所以我們燒寫程序務(wù)必選擇BOOT1 = 0，這樣通過內(nèi)嵌的自舉程序?qū)LASH進行燒寫，比如中斷向量表和代碼 15、 STM32核心電壓為1.8V 16、 STM32復(fù)位有三種：系統(tǒng)復(fù)位、上電復(fù)位、備份區(qū)域復(fù)位。其中系統(tǒng)復(fù)位除了RCC_CSR中的復(fù)位標志和BKP中的數(shù)值不復(fù)位之外，其他的所有寄存器全部復(fù)位。觸發(fā)方式例如外部復(fù)位、看門狗復(fù)位、軟件復(fù)位等；電源復(fù)位由于外部電源的上電/掉電復(fù)位或者待機模式返回。復(fù)位除了BKP中的寄存器值不動，其他全部復(fù)位；備份區(qū)域復(fù)位的觸發(fā)源為軟件復(fù)位或者VDD和VBAT全部掉電時。 17、 單片機復(fù)位后所有I/O口均為浮空輸入狀態(tài) 18、 68個可屏蔽中斷通道，16個可編程優(yōu)先級，16個內(nèi)核中斷，一共68 16=84個中斷。103系列只有60個中斷，107系列才有68個中斷 19、 系統(tǒng)啟動從0x00000004開始，0x000 0000保留 20、 （NestedVectored Interrupt Controller）NVIC嵌套向量中斷控制器，分為兩種：搶先式優(yōu)先級（可嵌套）和中斷優(yōu)先級（副優(yōu)先級，不能嵌套）。兩種優(yōu)先級由4位二進制位決定。分配下來有十六種情況： 21、0號搶先優(yōu)先級的中斷，可以打斷任何中斷搶先優(yōu)先級為非0號的中斷；1號搶先優(yōu)先級的中斷，可以打斷任何中斷搶先優(yōu)先級為2、3、4號的中斷；……；構(gòu)成中斷嵌套。如果兩個中斷的搶先優(yōu)先級相同，誰先出現(xiàn)，就先響應(yīng)誰，不構(gòu)成嵌套。如果一起出現(xiàn)（或掛在那里等待），就看它們2個誰的子優(yōu)先級高了，如果子優(yōu)先級也相同，就看它們的中斷向量位置了。原來中斷向量的位置是最后的決定因素?。。?！ 22、 上電初始化后AIRC初始化為0，為16個搶先式優(yōu)先級，但是由于所有的外部通道中斷優(yōu)先級控制字PRI_n為0，所以搶先式優(yōu)先級相同，此時就不能嵌套了 23、 NVI中有ISER[2]（Interrupt Set-Enable Registers），ICER[2]（Interrupt Clear-Enable Registers），ISPR[2]（Interrupt Set-Pending Registers），ICPR[2]（Interrupt Clear-Pending Registers），IABR[2]（Active Bit Registers），IPR[15]（InterruptPriority Registers）定義。其中ISER和ICER分別為中斷使能和中斷失能寄存器，都是寫1來使能/失能中斷的。為什么寫1？為什么不采用一個寄存器而用兩個寄存器來表示中斷使能/失能狀態(tài)？由于硬件，寫0比較復(fù)雜，并且可能造成其他位的狀態(tài)改變，所以用1來表示打開或者關(guān)斷是比較合理的 24、 中斷標志位需要手動清除 25、 配置外圍器件的一般步驟：1、打開端口時鐘。2、定義初始化結(jié)構(gòu)體并初始化。3、調(diào)用 26、串口的奇偶校驗：如果是奇偶校驗，那么USART_InitStructure.USART_WordLength= USART_WordLength_9b;這個數(shù)據(jù)的長度必須設(shè)定為9位！ 27、ADC的規(guī)則組可以自定義轉(zhuǎn)換通道順序和轉(zhuǎn)換的通道個數(shù)。在實際應(yīng)用中，有時候希望有一些特別的通道具有很高的優(yōu)先權(quán)，需要在規(guī)則組進行轉(zhuǎn)換的時候強制打斷，進行另一個通道的轉(zhuǎn)換，這樣一組通道，叫做注入組。 28、定時器的輸出比較模式：Timing（凍結(jié)，什么都不做，普通定時）,Active（OCxREF輸出高電平有效）,Inactive（OCxREF輸出低電平）,Toggle（比較成功后翻轉(zhuǎn)電平）。 29、STM32的定時器從0開始計數(shù)，滿足一些條件，給出標志位（比如匹配成功、時間更新、溢出等）然后從0開始計數(shù)。這一點和51不同。 30、OCx=OCxREF 極性 31、自動裝載寄存器和影子寄存器：前者相當(dāng)于51當(dāng)中的溢出設(shè)定數(shù)值。而影子寄存器顧名思義是影子，就是寄存器的另一分copy。實際起作用的是影子寄存器，而程序員操縱的則是自動裝載寄存器。如果APPE位使能，表明自動裝載寄存器的值在下一次更新事件發(fā)生后才寫入新值。否則，寫入自動裝載寄存器的值會被立即更新到影子寄存器。 32、RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div4);PCLK1的4分頻給定時器基準時鐘 33、定時器配置：RCC、NVIC、GPIO（OC輸出或者PWM）、TIMx 34、通用定時器可以輸出4路不同的PWM，高級定時器可以輸出4路不同的PWM外，還可以輸出3路互補的PWM信號（驅(qū)動三相電機），一共有7路。這樣算出來STM32可以產(chǎn)生30路PWM=7*2 4*4 35、 36、高級定時器時鐘源掛在了APB2上，而通用定時器掛在APB1上。AHB（72mhz）→APB1分頻器（默認2）→APB1時鐘信號（36mhz）→倍頻器（*2倍）→通用定時器時鐘信號（72mhz）。如果APB1沒有分頻，那么通用定時器的時鐘信號頻率就直接等于APB1的時鐘頻率，沒有上述的倍頻器*2過程。TIM_SetAutoreload()用來改變PWM的頻率,TIM_SetCompare1()用來改變占空比 37、有刷電機一般啟動力矩大一些，無刷電機啟動力矩小，運行起來力矩大。有刷電機采用電刷機械電流換向，而無刷電機則通過霍爾傳感器測出轉(zhuǎn)子的電流來判斷電機的運動位置和方向，返回給控制回路。 38、死區(qū)是必須要有的，因為這涉及到電路的短路問題。晶閘管在換向的時候需要死區(qū)時間來徹底關(guān)斷線路 39、剎車功能用來在控制回路出現(xiàn)問題時，硬件自動給予外部電機進行緊急剎車制動，反應(yīng)在PWM上持續(xù)給出一個固定的占空比？（三相驅(qū)動也是？） 40、PWM輸出最好采用PWM模式，其他的比較輸出模式相位會慢慢改變，不精準 41、對FLASH的讀寫需要先解鎖后加鎖。FLASH寫0容易，寫1難。 42、下載程序有兩種方式，一種為ICP（在線編程），適用于JTAG或SWD協(xié)議下的燒寫程序。另一種成為IAP（在應(yīng)用編程），適用于很多接口（USB，串口，CAN）下載到存儲器中，IAP允許在程序運行時重新燒寫FLASH 43、FLASH分為主存儲器（這里放置用戶的程序代碼）和信息塊（啟動代碼），除此之外，還有一部分叫做系統(tǒng)存儲器，這一塊用戶不可操作，為ST公司出產(chǎn)后固化，為系統(tǒng)的上電自舉程序 44、FLASH在寫的時候，一定不能讀，如果有讀操作，那么將會鎖住總線