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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電源技術(shù)>PL7022/B SOT23-6 CMOS 雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)資料規(guī)格書(shū)

PL7022/B SOT23-6 CMOS 雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)資料規(guī)格書(shū)

2024-01-07 | | 0.18 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

概述
PL7022/B 是一款基于 CMOS 的雙節(jié)可充電鋰電池保護(hù)電路,它集高精度過(guò)電壓充電保護(hù)、過(guò)電壓放電保護(hù)、過(guò)電流充電保護(hù)、過(guò)電流放電保護(hù)、電池短路保護(hù)等性能于一身。
正常狀態(tài)下,PL7022/B 由電池供電。當(dāng)兩節(jié)電池電壓(VBATU/VBATD)都在過(guò)電壓充電保護(hù)閾值(VOCU/D)和過(guò)電壓放電保護(hù)閾值(VODU/D)之間,且其 VM 檢測(cè)端電壓在過(guò)電流充電保護(hù)閾值(VECI)和過(guò)電流放電保護(hù)閾值(VEDI)之間,此時(shí) PL7022/B 的 COUT 端和 DOUT 端都輸出高電平,分別使外接充電控制 N-MOSFET 管 Q1 和放電控制 N-MOSFET 管 Q2 導(dǎo)通。這時(shí),既可以使用充電器對(duì)電池充電,也可以通過(guò)負(fù)載使電池放電。
PL7022/B 通過(guò)檢測(cè)兩個(gè)電池電壓來(lái)進(jìn)行過(guò)充/放電保護(hù)。當(dāng)充/放電保護(hù)條件發(fā)生時(shí),COUT/DOUT 由高電平變?yōu)榈碗娖?,?Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?,從而?放電過(guò)程停止。PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件,當(dāng)恢復(fù)條件滿(mǎn)足以后,COUT/DOUT 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通,從而進(jìn)入正常狀態(tài)。
PL7022/B 對(duì)每種保護(hù)/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延遲時(shí)間,只有在保護(hù)/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時(shí)間以后,才進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù)/恢復(fù)。如果保護(hù)/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時(shí)間以前消除,則不進(jìn)入保護(hù)/恢復(fù)狀態(tài)。當(dāng) VM 小于-5V,VDD 從 0V 升高至正常值時(shí),芯片將進(jìn)入快速檢測(cè)模式,縮短延遲時(shí)間,并禁止過(guò)電流充電保護(hù)功能。過(guò)電壓充電檢測(cè)和過(guò)電壓放電檢測(cè)延遲時(shí)間會(huì)縮短到將近 1ms,這能有效地縮短保護(hù)電路 PCB 的檢測(cè)時(shí)間。當(dāng) VM 升高至 0V 以上時(shí),芯片將退出快速檢測(cè)模式。

特點(diǎn)
? 兩節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池的理想保護(hù)電路
? 高精度的保護(hù)電壓(過(guò)充/過(guò)放)檢測(cè)
? 高精度過(guò)電流充電/放電保護(hù)檢測(cè)
? 低供電電流
? 在低功耗模式,不接充電器情況下,可自動(dòng)恢復(fù)狀態(tài)
? 電池短路保護(hù)
? 可選擇多種型號(hào)的檢測(cè)電壓和延遲時(shí)間
? 縮短延遲時(shí)間測(cè)試功能
? 0V 電池充電功能
? 極少的外圍元器件
? 超小型化的 SOT23-6 封裝

應(yīng)用
? 兩節(jié)鋰電池的充電、放電保護(hù)電路
? 電話(huà)機(jī)電池或其它兩節(jié)鋰電池高精度保護(hù)器

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