資料介紹
有一種說法,最傳統(tǒng)的半導(dǎo)體是硅Si,主要解決數(shù)據(jù)運算、存儲的問題;而最新的半導(dǎo)體卻以GaN為代表,它在光電轉(zhuǎn)化方面性能突出,在微波信號傳輸方面效率很高,可以廣泛地應(yīng)用于照明、顯示和通訊領(lǐng)域??梢哉f,GaN確實是目前最為新鮮的半導(dǎo)體技術(shù),而且它的未來前景十分廣闊!
現(xiàn)如今,已經(jīng)聽到我們的行業(yè)大咖宣布,“GaN將迎來黃金發(fā)展時間?!边@一公告似乎在暗示,GaN已準(zhǔn)備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或為數(shù)眾多的應(yīng)用面前。同時也表明,GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟,不能認(rèn)為它是一個有問題的技術(shù)。
Get Ready! 迎接全新GaN技術(shù)
測試GaN的一種方法是查看采用GaN的電源的開發(fā)過程。
多數(shù)情況下,電源設(shè)計人員使用數(shù)字控制來演示GaN應(yīng)用,可能是因為數(shù)字化控制的靈活性較好,能夠讓設(shè)計人員精確控制開關(guān)波形,也可能是數(shù)字控制可以提供克服任意GaN缺點的多個控制回路和保護(hù)電路。
“GaN已為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”的含義比上述提到的更豐富,但它也意味著數(shù)字控制也做好準(zhǔn)備迎接GaN。對于做好準(zhǔn)備迎接GaN的數(shù)字電源控制來講,它需要時間基分辨率、采樣分辨率和計算馬力用于更高的開關(guān)頻率、更窄的占空比和精確的死區(qū)時間控制。圖1和2所示為硅(Si)MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降時間,圖中數(shù)字顯示死區(qū)時間存在兩倍的差異,硅 MOSFET速度更慢。此外,GaN MOSFET的上升和下降更加線性,這些屬性使得更精細(xì)的邊緣控制非常可取。
圖1:諧振LLC硅MOSFET死區(qū)時間
圖2:LLC GaN MOSFET死區(qū)時間
了解GaN技術(shù)的優(yōu)勢,尤其重要
GaN可在無需支付后續(xù)費用的情況下增大開關(guān)頻率。利用這一優(yōu)點,可以在功率級中縮小無源元件尺寸,并加快瞬變響應(yīng)速度。但是,要對這些較高頻率進(jìn)行所需的控制,控制電路速度必須更快。
例如,采樣和轉(zhuǎn)換時間需要足夠快,才不會限制占空比寬度或相位延遲。此外,接下來針對控制工作的計算需要足夠快,以不限制開關(guān)速度。對于如今頻率大于1MHz的開關(guān)電源,需要在少數(shù)100ns中完成采樣和轉(zhuǎn)換。計算延遲也必須處于這一范圍。
幸運的是,多年來,我們生產(chǎn)的數(shù)字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數(shù)字電源控制器都能滿足這些需求,但是至少電源設(shè)計人員有選擇權(quán)。
因此,GaN為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備了嗎?我們得到的答案更多是數(shù)字電源控制已準(zhǔn)備好迎接GaN。隨著GaN繼續(xù)開發(fā),并應(yīng)用于高密度和高性能電源解決方案,我們已經(jīng)開始利用GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢。
來源:
(mbbeetchina)
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