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如何設(shè)計內(nèi)嵌高精度LDO的負(fù)壓DCDC變換器

2474220 2019-12-04 | rar | 8.81 MB | 次下載 | 免費

資料介紹

　　電源管理芯片是所有電子設(shè)備的核心部件。隨著4G-LTE 無線通信產(chǎn)品與消費類電子產(chǎn)品的進一步發(fā)展，尤其是智能手機、平板電腦等電子產(chǎn)品的極大普及，高效能、高集成度的電源管理芯片及其（PMU）單元成為新的研究與設(shè)計熱點。本論文設(shè)計了一款內(nèi)嵌高精度 LDO的負(fù)壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器，其采用Buck-BoostDC/DC變換器與低壓差線性調(diào)整器相級聯(lián)的兩段式結(jié)構(gòu)，能充分發(fā)揮DC/DC變換器高效率與LDO的低紋波等優(yōu)點，其可應(yīng)用于智能手機、平板電腦等便攜式設(shè)備的AMOLED面板驅(qū)動。本文首先采用基于MISSCO最小可分離開關(guān)結(jié)構(gòu)假設(shè)的狀態(tài)空間平均法對負(fù)壓變換器的系統(tǒng)級行為模型進行建模，并在此基礎(chǔ)上，對變換器系統(tǒng)及其內(nèi)部各個功能模塊進行了詳細(xì)的研究與設(shè)計。同時，采用動態(tài)頻率補償與動態(tài)增益補償技術(shù)，實現(xiàn)了LDO的高精度穩(wěn)定輸出。本芯片設(shè)計基于0.35μm BCD工藝，仿真結(jié)果表明，該芯片的最差輸出精度誤差小于1%，輸出紋波最大值僅為±20μV；芯片可調(diào)輸出電壓為-5.0~-1.0V，步長為100mV，內(nèi)嵌LDO的最小壓差電壓僅為100mV。各項設(shè)計指標(biāo)均滿足要求。