資料介紹
為了解決傳統(tǒng)光電隔離、電容隔離和變壓器隔離存在的線性度及頻率特性等問題,本文提出了一種自旋閥巨磁阻(GMR)隔離放大器的設(shè)計(jì)方案,本方案所設(shè)計(jì)的隔離器前端電路可將0~5 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為1.4~10 mA電流,后端接收電路在增益為1時(shí)的共模抑制比為73 dB,增益可調(diào)節(jié)范圍為1~200,工作帶寬大于100 kHz,并采用Tanner軟件對電路進(jìn)行編輯、仿真與驗(yàn)證,隔離器具有靈敏度高、線性度好及結(jié)構(gòu)簡單等特點(diǎn),且可以與硅等半導(dǎo)體電路集成。
0引言
在工業(yè)控制、高壓測量及醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用中,出于安全性的考慮,有必要在信號傳輸?shù)倪^程中引入電氣隔離,以達(dá)到減小各設(shè)備地線之間電氣特性的相互影響及干擾噪聲的目的。根據(jù)所需傳輸信號的類型,可將隔離器分為模擬信號隔離器和數(shù)字信號隔離器。其中,數(shù)字信號隔離器具有抗干擾能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)簡單及功耗低等特點(diǎn),用做二進(jìn)制信號或邏輯電平信號的隔離。模擬信號隔離器是用來隔離隨時(shí)間連續(xù)變化的模擬信號。一般地,傳感器的輸出幾乎都是微弱的模擬信號,因此,在模擬信號隔離之前要先對其進(jìn)行放大。隔離放大器是一種高共模抑制比的低噪聲放大電路,其比較適用于輸入模擬信號與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)之間的隔離。
在隔離器外圍設(shè)計(jì)相應(yīng)的放大電路,就構(gòu)成了隔離放大器。常見的隔離放大器有變壓器隔離、電容隔離和光電隔離三種類型。其中,變壓器隔離放大器有如美國ADI公司的AD202,電容隔離放大器如BURR BROWN公司的ISO122,它們都需要外加調(diào)制解調(diào)電路模塊,使其結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜,而光電隔離放大器線性度較差及傳輸速率較低。
美國NVE公司在1998年最先推出單片式GMR隔離器,采用的是線圈產(chǎn)生磁場來實(shí)現(xiàn)隔離耦合,但只應(yīng)用于數(shù)字信號隔離領(lǐng)域。國內(nèi)GMR技術(shù)發(fā)展還處于起步時(shí)期,基于GMR技術(shù)的隔離器研究尚未成熟。在此,本文設(shè)計(jì)了一種自旋閥GMR隔離放大器,適用于微弱的模擬信號隔離,具有靈敏度高、線性度好及結(jié)構(gòu)簡單等特點(diǎn)。
1巨磁阻隔離放大器基本原理
巨磁阻隔離器是基于巨磁阻(GMR)效應(yīng)的一種隔離器,所謂的巨磁阻效應(yīng),即指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時(shí)較之無外磁場作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象。如圖1所示,輸入電壓信號經(jīng)過隔離器前端V/I放大及轉(zhuǎn)換電路,輸出的電流流過線圈產(chǎn)生與電流大小成正比的磁場,磁場被GMR傳感器感應(yīng)接收,電橋?qū)⑤敵雠c磁場強(qiáng)度成線性的電壓信號,最后通過接收電路進(jìn)行放大與噪聲抑制,提供給后續(xù)電路處理。信號在整個(gè)隔離與傳輸?shù)倪^程中,始終保持著完整的線性。
在圖1的GMR隔離器結(jié)構(gòu)中,位于底端的惠斯通電橋采用的是自旋閥GMR傳感器,它具有較大的GMR效應(yīng)、較低的飽和場、較高的靈敏度及較好的線性度;隔離柵為數(shù)十微米厚的聚合物或氮化硅高絕緣介電薄膜,可耐壓3 000~6 000 V;處在隔離柵上面的螺旋矩形平面線圈,其電流方向相反的兩個(gè)部分分別正對應(yīng)下方電橋的兩對角位上的巨磁電阻,線圈產(chǎn)生的磁場透過隔離柵,改變兩對角位上的電阻的電阻態(tài),使一個(gè)對角位上的兩電阻同時(shí)為高阻態(tài)(低阻態(tài)),而另一個(gè)對角位上的兩電阻同時(shí)為低阻態(tài)(高阻態(tài))。
根據(jù)以往經(jīng)驗(yàn)線圈的設(shè)計(jì)尺寸,線圈效率(即穿過隔離柵在GMR電橋上產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度與流過輸入線圈的電流比值)為1.7 Oe/mA.當(dāng)流過線圈的電流為-10~10 mA時(shí),電橋輸出電壓的線性誤差小于0.05%,靈敏度達(dá)到1.27 mV/V.mA.
2電路設(shè)計(jì)與分析
圖1中自旋閥GMR隔離放大器整體結(jié)構(gòu)包括輸入級、隔離級和輸出級三部分。本文主要設(shè)計(jì)的是輸入級的V/I轉(zhuǎn)換電路和輸出級后端接收電路,并對各電路進(jìn)行各種參數(shù)仿真及驗(yàn)證。
0引言
在工業(yè)控制、高壓測量及醫(yī)療設(shè)備等應(yīng)用中,出于安全性的考慮,有必要在信號傳輸?shù)倪^程中引入電氣隔離,以達(dá)到減小各設(shè)備地線之間電氣特性的相互影響及干擾噪聲的目的。根據(jù)所需傳輸信號的類型,可將隔離器分為模擬信號隔離器和數(shù)字信號隔離器。其中,數(shù)字信號隔離器具有抗干擾能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)簡單及功耗低等特點(diǎn),用做二進(jìn)制信號或邏輯電平信號的隔離。模擬信號隔離器是用來隔離隨時(shí)間連續(xù)變化的模擬信號。一般地,傳感器的輸出幾乎都是微弱的模擬信號,因此,在模擬信號隔離之前要先對其進(jìn)行放大。隔離放大器是一種高共模抑制比的低噪聲放大電路,其比較適用于輸入模擬信號與數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)之間的隔離。
在隔離器外圍設(shè)計(jì)相應(yīng)的放大電路,就構(gòu)成了隔離放大器。常見的隔離放大器有變壓器隔離、電容隔離和光電隔離三種類型。其中,變壓器隔離放大器有如美國ADI公司的AD202,電容隔離放大器如BURR BROWN公司的ISO122,它們都需要外加調(diào)制解調(diào)電路模塊,使其結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜,而光電隔離放大器線性度較差及傳輸速率較低。
美國NVE公司在1998年最先推出單片式GMR隔離器,采用的是線圈產(chǎn)生磁場來實(shí)現(xiàn)隔離耦合,但只應(yīng)用于數(shù)字信號隔離領(lǐng)域。國內(nèi)GMR技術(shù)發(fā)展還處于起步時(shí)期,基于GMR技術(shù)的隔離器研究尚未成熟。在此,本文設(shè)計(jì)了一種自旋閥GMR隔離放大器,適用于微弱的模擬信號隔離,具有靈敏度高、線性度好及結(jié)構(gòu)簡單等特點(diǎn)。
1巨磁阻隔離放大器基本原理
巨磁阻隔離器是基于巨磁阻(GMR)效應(yīng)的一種隔離器,所謂的巨磁阻效應(yīng),即指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時(shí)較之無外磁場作用時(shí)存在巨大變化的現(xiàn)象。如圖1所示,輸入電壓信號經(jīng)過隔離器前端V/I放大及轉(zhuǎn)換電路,輸出的電流流過線圈產(chǎn)生與電流大小成正比的磁場,磁場被GMR傳感器感應(yīng)接收,電橋?qū)⑤敵雠c磁場強(qiáng)度成線性的電壓信號,最后通過接收電路進(jìn)行放大與噪聲抑制,提供給后續(xù)電路處理。信號在整個(gè)隔離與傳輸?shù)倪^程中,始終保持著完整的線性。
在圖1的GMR隔離器結(jié)構(gòu)中,位于底端的惠斯通電橋采用的是自旋閥GMR傳感器,它具有較大的GMR效應(yīng)、較低的飽和場、較高的靈敏度及較好的線性度;隔離柵為數(shù)十微米厚的聚合物或氮化硅高絕緣介電薄膜,可耐壓3 000~6 000 V;處在隔離柵上面的螺旋矩形平面線圈,其電流方向相反的兩個(gè)部分分別正對應(yīng)下方電橋的兩對角位上的巨磁電阻,線圈產(chǎn)生的磁場透過隔離柵,改變兩對角位上的電阻的電阻態(tài),使一個(gè)對角位上的兩電阻同時(shí)為高阻態(tài)(低阻態(tài)),而另一個(gè)對角位上的兩電阻同時(shí)為低阻態(tài)(高阻態(tài))。
根據(jù)以往經(jīng)驗(yàn)線圈的設(shè)計(jì)尺寸,線圈效率(即穿過隔離柵在GMR電橋上產(chǎn)生的磁場強(qiáng)度與流過輸入線圈的電流比值)為1.7 Oe/mA.當(dāng)流過線圈的電流為-10~10 mA時(shí),電橋輸出電壓的線性誤差小于0.05%,靈敏度達(dá)到1.27 mV/V.mA.
2電路設(shè)計(jì)與分析
圖1中自旋閥GMR隔離放大器整體結(jié)構(gòu)包括輸入級、隔離級和輸出級三部分。本文主要設(shè)計(jì)的是輸入級的V/I轉(zhuǎn)換電路和輸出級后端接收電路,并對各電路進(jìn)行各種參數(shù)仿真及驗(yàn)證。
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