資料介紹
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導通往往是被忽略的問題,因為瞬態(tài)過程很難捕捉。
以半橋變換器為例,其典型驅動電路如下圖a)所示,理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。
但是,在實際測試中的柵極電壓波形則如下圖所示。
圖中,圓圈處的電壓尖峰就是其中一個MOSFET開通時,引起處于關閉狀態(tài)的另一個MOSFET的柵極電壓尖峰。如果這個電壓尖峰超過MOSFET的導通閾值電壓(特別是在結溫較高時,閾值電壓下降到常溫的2/3),原處于關斷的MOSFET將被觸發(fā)導通,就會產生橋臂的兩個MOSFET瞬態(tài)共同導通現象,即使僅導通數十納秒也很可能損壞MOSFET.由于使MOSFET損壞的時刻是隨機的,故通常很難找到故障的真正原因。
產生這種現象的根本原因是MOSFET漏極電壓迅速上升,并產生電容電流,通過MOS-FET的反向傳輸電容與輸入電容分壓,在MOSFET的柵一源極間產生電壓。
以半橋變換器為例,其典型驅動電路如下圖a)所示,理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。
但是,在實際測試中的柵極電壓波形則如下圖所示。
圖中,圓圈處的電壓尖峰就是其中一個MOSFET開通時,引起處于關閉狀態(tài)的另一個MOSFET的柵極電壓尖峰。如果這個電壓尖峰超過MOSFET的導通閾值電壓(特別是在結溫較高時,閾值電壓下降到常溫的2/3),原處于關斷的MOSFET將被觸發(fā)導通,就會產生橋臂的兩個MOSFET瞬態(tài)共同導通現象,即使僅導通數十納秒也很可能損壞MOSFET.由于使MOSFET損壞的時刻是隨機的,故通常很難找到故障的真正原因。
產生這種現象的根本原因是MOSFET漏極電壓迅速上升,并產生電容電流,通過MOS-FET的反向傳輸電容與輸入電容分壓,在MOSFET的柵一源極間產生電壓。
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