資料介紹
摘要:一摸電源模塊的表面,熱乎乎的,模塊壞了?!且慢,有一點發(fā)熱,僅僅只是因為它正努力地工作著。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大!我們須致力于做好熱設(shè)計,減小電源表面和內(nèi)部器件的溫升。這一次,我們扒一扒電源模塊的熱設(shè)計。
高溫對功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會導(dǎo)致電解電容的壽命降低,變壓器漆包線的絕緣特性降低,晶體管損壞,材料熱老化,焊點脫落等現(xiàn)象。有統(tǒng)計資料表明,電子元件溫度每升高2℃,可靠性下降10%。對于電源模塊的熱設(shè)計,它包括兩個層面:降低損耗和改善散熱條件。
一、元器件的損耗
損耗是產(chǎn)生熱量的直接原因,降低損耗是降低發(fā)熱的根本。市面上有些廠家把發(fā)熱元件包在模塊內(nèi)部,使得熱量散不出去,這種方法有點自欺欺人。降低內(nèi)部發(fā)熱元件的損耗和溫升才是硬道理。
電源模塊熱設(shè)計的關(guān)鍵器件一般有:MOS管、二極管、變壓器、功率電感、限流電阻等。其損耗如下:
1、 MOS管的損耗:導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗(開通損耗和關(guān)斷損耗);
2、 整流二極管的損耗:正向?qū)〒p耗;
3、 變壓器、功率電感:鐵損和銅損;
4、 無源器件(電阻、電容等):歐姆熱損耗。
二、熱設(shè)計
在設(shè)計的初期,方案選擇、元器件選擇、PCB設(shè)計等方面都要考慮到熱設(shè)計。
1、方案的選擇
方案會直接影響到整體損耗和整體溫升的程度。
2、元器件的選擇
元器件的選擇不僅需要考慮電應(yīng)力,還要考慮熱應(yīng)力,并留有一定降額余量。降額等級可以參考《國家軍用標(biāo)準(zhǔn)——元器件降額準(zhǔn)則GJB/Z35-93》,該標(biāo)準(zhǔn)對各類元器件的各等級降額余量作了規(guī)定。設(shè)計一個穩(wěn)定可靠的電源,實在不能任性,必須好好照著各元件的性子,設(shè)計、降額、驗證。圖 1為一些元件降額曲線,隨著表面溫度增加,其額定功率會有所降低。
圖1 降額曲線
元器件的封裝對器件的溫升有很大的影響。如由于工藝的差異,DFN封裝的MOS管比DPAK(TO252)封裝的MOS管更容易散熱。前者在同樣的損耗條件下,溫升會比較小。一般封裝越大的電阻,其額定功率也會越大,在同樣的損耗的條件下,表面溫升會比較小。
設(shè)計中,要評估的電阻一般有MOS管的限流檢測電阻、MOS管的驅(qū)動電阻等。限流電阻一般使用1206或更大的封裝,多個并聯(lián)使用。驅(qū)動電阻的損耗也需要考慮,否則可能導(dǎo)致溫升過高。
高溫對功率密度高的電源模塊的可靠性影響極其大。高溫會導(dǎo)致電解電容的壽命降低,變壓器漆包線的絕緣特性降低,晶體管損壞,材料熱老化,焊點脫落等現(xiàn)象。有統(tǒng)計資料表明,電子元件溫度每升高2℃,可靠性下降10%。對于電源模塊的熱設(shè)計,它包括兩個層面:降低損耗和改善散熱條件。
一、元器件的損耗
損耗是產(chǎn)生熱量的直接原因,降低損耗是降低發(fā)熱的根本。市面上有些廠家把發(fā)熱元件包在模塊內(nèi)部,使得熱量散不出去,這種方法有點自欺欺人。降低內(nèi)部發(fā)熱元件的損耗和溫升才是硬道理。
電源模塊熱設(shè)計的關(guān)鍵器件一般有:MOS管、二極管、變壓器、功率電感、限流電阻等。其損耗如下:
1、 MOS管的損耗:導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗(開通損耗和關(guān)斷損耗);
2、 整流二極管的損耗:正向?qū)〒p耗;
3、 變壓器、功率電感:鐵損和銅損;
4、 無源器件(電阻、電容等):歐姆熱損耗。
二、熱設(shè)計
在設(shè)計的初期,方案選擇、元器件選擇、PCB設(shè)計等方面都要考慮到熱設(shè)計。
1、方案的選擇
方案會直接影響到整體損耗和整體溫升的程度。
2、元器件的選擇
元器件的選擇不僅需要考慮電應(yīng)力,還要考慮熱應(yīng)力,并留有一定降額余量。降額等級可以參考《國家軍用標(biāo)準(zhǔn)——元器件降額準(zhǔn)則GJB/Z35-93》,該標(biāo)準(zhǔn)對各類元器件的各等級降額余量作了規(guī)定。設(shè)計一個穩(wěn)定可靠的電源,實在不能任性,必須好好照著各元件的性子,設(shè)計、降額、驗證。圖 1為一些元件降額曲線,隨著表面溫度增加,其額定功率會有所降低。
圖1 降額曲線
元器件的封裝對器件的溫升有很大的影響。如由于工藝的差異,DFN封裝的MOS管比DPAK(TO252)封裝的MOS管更容易散熱。前者在同樣的損耗條件下,溫升會比較小。一般封裝越大的電阻,其額定功率也會越大,在同樣的損耗的條件下,表面溫升會比較小。
設(shè)計中,要評估的電阻一般有MOS管的限流檢測電阻、MOS管的驅(qū)動電阻等。限流電阻一般使用1206或更大的封裝,多個并聯(lián)使用。驅(qū)動電阻的損耗也需要考慮,否則可能導(dǎo)致溫升過高。
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