資料介紹
傳導損耗是由設備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC轉換器中的傳導產(chǎn)生的。傳導損耗與占空比有直接關系。當集成上橋臂MOSFET打開后,負載電流就會從其中通過。漏-源通道電阻(RDSON)產(chǎn)生的功率耗散可以用公式1表示:
其中D = = 占空比
對于LM2673這樣的非同步設備,在集成MOSFET關閉時,二極管被正向偏置。在此期間,電感電流通過輸出電容器、負載和正向偏置二極管降低。負載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示:
其中VF是選定二極管的正向電壓降。
除了集成MOSFET與鉗位二極管中的傳導損耗,電感器中也有傳導損耗,因為每一個電感器都有有限的直流電阻(DCR),即線圈中導線的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散:
傳導損耗取決于負載電流。負載增大時,MOSFET中的傳導損耗會增加,而且是主要損耗因素。傳導損耗及開關、驅動和內(nèi)部低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的損耗會產(chǎn)生很多的熱量,增加集成電路(IC)的結溫。增加的結溫可以用公式4表示:
其中ICTj是IC的結溫,TA是環(huán)境溫度,θJA是IC到空氣的熱阻,ICPd是IC中總功率耗散。
其中D = = 占空比
對于LM2673這樣的非同步設備,在集成MOSFET關閉時,二極管被正向偏置。在此期間,電感電流通過輸出電容器、負載和正向偏置二極管降低。負載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示:
其中VF是選定二極管的正向電壓降。
除了集成MOSFET與鉗位二極管中的傳導損耗,電感器中也有傳導損耗,因為每一個電感器都有有限的直流電阻(DCR),即線圈中導線的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散:
傳導損耗取決于負載電流。負載增大時,MOSFET中的傳導損耗會增加,而且是主要損耗因素。傳導損耗及開關、驅動和內(nèi)部低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的損耗會產(chǎn)生很多的熱量,增加集成電路(IC)的結溫。增加的結溫可以用公式4表示:
其中ICTj是IC的結溫,TA是環(huán)境溫度,θJA是IC到空氣的熱阻,ICPd是IC中總功率耗散。
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