資料介紹
1、更低的成本
目前,主流的光伏組件產(chǎn)品仍以硅為主要原材料,僅以硅原材料的的消耗計(jì)算,生產(chǎn)1兆瓦晶體硅太陽電池,需要10-12噸高純硅,但是如果消耗同樣的硅材料用以生產(chǎn)薄膜非晶硅太陽電池可以產(chǎn)出超過200兆瓦。
從能源消耗的角度看,非晶硅太陽電池僅1-1.5年的能源回收期,更體現(xiàn)了其在制造過程中對(duì)節(jié)約能源的貢獻(xiàn)。
組件成本在光伏系統(tǒng)中的占有很高的比例,組件價(jià)格直接影響系統(tǒng)造價(jià),進(jìn)而影響到光伏發(fā)電的成本。按目前的組件售價(jià)計(jì)算,同樣的資金,購買非晶硅產(chǎn)品,您可以多獲得接近30%的組件功率。
2、更多的電力
對(duì)于同樣功率的太陽電池陣列,非晶硅太陽電池比單晶硅、多晶硅電池發(fā)電要多約10%。這已經(jīng)被美國的Uni-Solar System LLC、Energy Photovoltaic Corp.、日本的Kaneka Corp.、荷蘭能源研究所以及其他的光伏界組織和專家證實(shí)了。
在陽光充足的月份,也就是說在較高的環(huán)境溫度下,非晶硅太陽電池組件能表現(xiàn)出更優(yōu)異的發(fā)電性能。
3、更好的弱光響應(yīng)
由于非晶硅材料原子排列無序的特點(diǎn),它的電子躍遷不再遵守傳統(tǒng)的“選擇定則”限制,因此,它的光吸收特性與單晶硅材料存在著較大的差別。非晶硅和單晶硅材料的吸收曲線如圖所示
? 非晶硅的吸收曲線具有明顯的三段(A、B、C)特征。A區(qū)對(duì)應(yīng)電子在定域態(tài)間的躍遷,如費(fèi)米能及附近的隙態(tài)向帶尾態(tài)的躍遷,該區(qū)的吸收系數(shù)較小,約1-10cm-1,為非本正吸收;B區(qū)的吸收系數(shù)隨光子能量的增加指數(shù)上升,它對(duì)應(yīng)于電子從價(jià)帶邊擴(kuò)展態(tài)到導(dǎo)帶定域態(tài)的躍遷,以及電子從價(jià)帶尾定域態(tài)向?qū)н厰U(kuò)展態(tài)的躍遷,該區(qū)的能量范圍通常只有半個(gè)電子伏特左右,但吸收系數(shù)通??缭絻扇齻€(gè)數(shù)量級(jí),達(dá)到104cm-1;C區(qū)對(duì)應(yīng)于電子從價(jià)帶內(nèi)部到導(dǎo)帶內(nèi)部的躍遷,該區(qū)的吸收系數(shù)較大,通常在104cm-1以上。后兩個(gè)吸收區(qū)是非晶硅材料的本征吸收區(qū)。
? 從圖中可以看到,兩條曲線的交點(diǎn)約在1.8ev左右。值得注意的是,在整個(gè)可見光范圍內(nèi)(1.7-3.0ev),非晶硅材料的吸收系數(shù)幾乎都比單晶硅大一個(gè)數(shù)量級(jí)。也就是說,在陽光不太強(qiáng)的上午前半部、下午后半部、以及多云等低光強(qiáng)、長(zhǎng)波比重較大的情況下,非晶硅材料仍有較大的吸收系數(shù)。再考慮到非晶硅材料的帶隙較大,反向飽和電流I0較小。以及如前所述的非晶硅電池I-V特性曲線方面的特點(diǎn),使得非晶硅太陽電池?zé)o論在理論上和實(shí)際使用中都對(duì)低光強(qiáng)有較好的適應(yīng)。
? 非晶硅電池的I-V特性在超過Vm以后隨電壓下降緩慢
為了比較方便,我們把兩種電池的I-V特性畫在同一張圖上。晶硅電池和非晶硅電池的I-V特性一般形狀如圖所示
從圖中我們看到,兩種電池在超過最大輸出功率點(diǎn)后曲線變化差距較大。晶硅電池的輸出電流在超過最大輸出功率點(diǎn)后會(huì)很快下降到零,曲線陡直;而非晶硅電池的輸出電流經(jīng)過一段較長(zhǎng)的距離后才下降到零,曲線較為平緩。兩種電池的Vm分別大約相當(dāng)于其開路電壓的83%和74%。§
當(dāng)光強(qiáng)逐漸變小時(shí),太陽電池的短路電流和開路電壓都會(huì)隨之強(qiáng)降低。當(dāng)然,短路電流減小得比較快,開路電壓降低得比較慢?!?/p>
在蓄電池做太陽電池陣列負(fù)載的情況下,當(dāng)太陽電池陣列的有效輸出電壓小于蓄電池的端電壓時(shí),蓄電池就不能夠被充電。當(dāng)光強(qiáng)逐漸變小時(shí),晶硅電池先不滿足充電條件,而非晶硅電池由于較大的電壓差,到光線很暗時(shí)才不充電,有效的增加了利用太陽光的時(shí)間。所以,非晶硅電池會(huì)比晶硅電池多產(chǎn)生一些電力。
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