資料介紹
處理增強(qiáng)型氮化鎵技術(shù)
硅功率MOSFET為電路設(shè)計(jì)者提供了許多好處,使它成為許多應(yīng)用中的明顯選擇。它提供了高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻,不像前面的雙極晶體管,MOSFET不遭受熱失控。制造技術(shù)的進(jìn)一步進(jìn)步,使得可以使用垂直配置,并行地提供許多單個(gè)晶體管的設(shè)備,進(jìn)一步降低它們的電阻。
經(jīng)過(guò)幾十年的時(shí)間,制造商已經(jīng)改進(jìn)了基本的設(shè)計(jì),在電阻和擊穿電壓方面制定了新的標(biāo)準(zhǔn)。然而,這些參數(shù)一般需要在MOSFET設(shè)計(jì)中相互折衷。提高擊穿電壓的技術(shù)傾向于提高電阻。作為一個(gè)結(jié)果,逐漸被如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)競(jìng)爭(zhēng)器件擊穿電壓額定值,需要較高的應(yīng)用與MOSFET。
一種選擇是更換材料。氮化鎵(氮化鎵)和碳化硅是硅的潛在替代品,由于這些材料具有更高的帶隙,能夠支持擊穿電壓的大幅度提高而不影響電阻,如圖1所示。
Figure 1: Graph of on-resistance versus breakdown voltage for silicon, SiC, and GaN, showing recently introduced GaN transistors.
Both SiC and GaN have a higher critical electric field strength than silicon, giving them a superior relationship between on-resistance and breakdown voltage. This allows devices to be made smaller and the electrical terminals brought closer together for a given breakdown-voltage requirement.
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