資料介紹
零電壓切換及其穩(wěn)壓重要性綜述
為了提升效率,功率密度 (W/m3) 和 DC 電源電壓水平不斷提升,同時硅器件的電壓需要不斷降低,這使得降壓型 DC-DC 穩(wěn)壓器電路的設(shè)計變得愈加困難。 電源電壓和硅器件所需電壓之間的差異會在穩(wěn)壓器上產(chǎn)生一個大壓降,從而增大切換損耗并最終限制該器件的切換頻率。
例如,過程控制系統(tǒng)可能需要在 3.3 - 24 V 之間進(jìn)行穩(wěn)壓——之間的差距通常必須利用兩個穩(wěn)壓級來彌補(bǔ),因此增加了板空間、成本和可靠性問題。 而且有限的切換頻率是一個不利因素,會迫使工程師們在濾波電路中采用更大的磁體和其它無源元件,從而增大了解決方案尺寸并影響到功率密度。
零電壓切換 (ZVS) 是一種能在更高電壓和電壓降條件下恢復(fù)至較快切換頻率的解決方案。 與當(dāng)代幾乎所有開關(guān)式穩(wěn)壓器一樣,這種技術(shù)采用基于脈寬調(diào)制 (PWM) 工作模式,但 PWM 定時會有一個附加獨(dú)立相位來使 ZVS 工作。 ZVS 會使穩(wěn)壓器參與“軟切換”,以避免通常在傳統(tǒng) PWM 工作和定時期間產(chǎn)生的切換損耗。
本文將介紹 ZVS 并詳細(xì)解釋其優(yōu)勢。
硬切換損耗
當(dāng)代的大多數(shù)非隔離式降壓轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生大量切換損耗,這是因為在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間,在穩(wěn)壓器的集成式金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管 (MOSFET) 開關(guān)上同時出現(xiàn)了高電流和高電壓壓力。 這些損耗會隨著開關(guān)頻率的提高而增大,并制約最高頻率工作、效率和功率密度。
當(dāng) MOSFET 關(guān)斷和導(dǎo)通時,在電流和電壓重疊期間發(fā)生硬切換。 穩(wěn)壓器制造商嘗試通過提高切換波形中的電流變化率 (di/dt ) 和電壓變化率 (dv/dt) 來最大限度減少這種重疊,進(jìn)而最大限度減小切換損耗。 圖 1 和圖 2 展示了切換損耗發(fā)生位置,以及為了最大限度降低這種損耗而設(shè)計的快速變化電壓的實際切換波形。
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