資料介紹
引言
QDR-IV 實現(xiàn)了 QDR (四倍數(shù)據(jù)速率) SRAM 的最高 RTR (隨機事務(wù)處理速率),可為高帶寬網(wǎng)絡(luò)、高性能計算和密集型數(shù)據(jù)處理應用提供高達 400Gbps 的數(shù)據(jù)傳輸。在這些較快數(shù)據(jù)速率下的一項主要挑戰(zhàn)是保持在 SRAM 與高速 FPGA 和處理器等器件之間傳輸數(shù)據(jù)的完整性。
一種良好的解決方案是把 SRAM (例如:QDR-IV、 QDR 或 DDR) 布設(shè)得非??拷?PCB 正面的接口器件。為節(jié)省 PCB 面積并最大限度地抑制數(shù)據(jù)總線線路上的感應 PCB 寄生噪聲,應將給 QDR-IV SRAM 數(shù)據(jù)總線驅(qū)動器供電的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路安置在近旁。面臨的難題是在高安裝密度的 PCB 上找到安放該穩(wěn)壓器的空間。
采用一個具片內(nèi)電感器和 MOSFET 并內(nèi)置于緊湊型封裝中的完整 DC/DC 穩(wěn)壓器是一種解決方案。不過,即使是緊湊的解決方案,要面對 PCB 正面上稀缺的可用面積也會有難度。如果 DC/DC 穩(wěn)壓器解決方案的占板面積、高度和重量能夠有足夠的削減,則其就能安放在具有可用面積的 PCB 之背面。
在一個纖巧的超薄型封裝中從 12VIN 獲得 VTT、 VDDQ、VREF
LTM?4632 是一款完整的三路輸出降壓型 μModule? 穩(wěn)壓器,專為支持新型 QDR-IV 和較老式的 DDR RAM 所需要的全部三個電壓軌而設(shè)計,其采用一個重 0.21g、外形超薄的微型 LGA 封裝 (6.25mm x 6.25mm x 1.82mm)。
封裝中內(nèi)置了開關(guān)控制器、電壓除二電路、功率 FET、電感器和支持組件。其纖巧的占板面積和低外部組件數(shù) (少至一個電阻器和三個電容器) 僅占用0.5cm2 (雙面) 或 1cm2 (單面),而它扁薄的外形則使其能安裝在 PCB 的背面,這樣就可騰出 PCB 正面的空間以實現(xiàn)超緊湊的電路板設(shè)計。
LTM4632 采用一個介于 3.3V 和 15V 之間的輸入電壓工作,可提供 0.6V 至 2.5V 的精準輸出軌電壓。該器件的兩個開關(guān)穩(wěn)壓器輸出 VOUT1 和 VOUT2 分別為 VDDQ 提供高達 3A 和 VTT 總線終端軌提供高達 ±3A。它的第三個輸出為跟蹤電壓的終端基準 (VTTR) 提供一個低噪聲緩沖 10mA 輸出。圖 1 示出了一種典型 DDR3 應用中的 LTM4632 電路,顯現(xiàn)了其簡單的解決方案和小的組件數(shù)目。
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