資料介紹
基于工作在亞閾值區(qū)的MOS器件,運(yùn)用CMOS電流模基準(zhǔn)對(duì)CATA和PTAT電流求和的思想,提出一種具有低溫漂系數(shù)、高電源抑制比(PSRR)的CMOS電壓基準(zhǔn)源,該電路可同時(shí)提供多個(gè)輸出基準(zhǔn)電壓,且輸出電壓可調(diào)。該基準(zhǔn)源基于CSMC0.5μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝,充分利用預(yù)調(diào)節(jié)電路并改進(jìn)電流?;鶞?zhǔn)核心電路,使整個(gè)電路的電源抑制比在低頻時(shí)達(dá)到122dB,溫度系數(shù)(TC)在0~100℃的溫度范圍內(nèi)約7ppm/℃。
- Abstract:
- ?A CMOS voltage reference with multiple-output,high power supply rejection ratio(PSRR)and low temperature coefficient(TC)is presented.It is based on subthreshold MOSFETs and CMOS current-mode structure.Pre-regulator and improved voltage reference core of the circuit are proposed.The circuit,designed and simulated in CSMC standard0.5μm CMOS technology,exhibits PSRR of122dB at low frequency and TC of7ppm/℃for the range of0~100℃.
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