資料介紹
MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能
如今,并在可以預(yù)見的未來,開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)(POL)電源應(yīng)用的決定性因素。對(duì)于工作電壓為1V或以下且對(duì)時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言,開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET能否進(jìn)行高效開關(guān)操作并提供所需的瞬態(tài)響應(yīng)。自1999年至今,瞬態(tài)響應(yīng)要求已經(jīng)從20A/μs提高至325A/μs左右,預(yù)計(jì)將于2004年達(dá)到400A/μs。
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