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本文利用NMOS 管與PMOS 管柵源電壓的溫度特性及襯底偏置效應(yīng)，設(shè)計(jì)了一種
帶曲率補(bǔ)償輸出電壓約為233mV 的電壓基準(zhǔn)源。該電路結(jié)構(gòu)簡單，電源抑制特性較好，并與傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度特性相似。利用0.5- μm CMOS 工藝對電路進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明：電源電壓為1V 時(shí)，在-40oC 至125oC 溫度范圍內(nèi)，基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)約為11ppm/ oC；在100Hz 和10MHz 時(shí)電源抑制比分別為-58.6 dB 和-40dB。
關(guān)鍵詞：電壓基準(zhǔn)襯底電壓閾值電壓曲率補(bǔ)償
帶曲率補(bǔ)償輸出電壓約為233mV 的電壓基準(zhǔn)源。該電路結(jié)構(gòu)簡單，電源抑制特性較好，并與傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電壓的溫度特性相似。利用0.5- μm CMOS 工藝對電路進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明：電源電壓為1V 時(shí)，在-40oC 至125oC 溫度范圍內(nèi)，基準(zhǔn)源的溫度系數(shù)約為11ppm/ oC；在100Hz 和10MHz 時(shí)電源抑制比分別為-58.6 dB 和-40dB。
關(guān)鍵詞：電壓基準(zhǔn)襯底電壓閾值電壓曲率補(bǔ)償
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