華為模擬電路講義資料合集免費(fèi)下載

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　　總體說來，凡是實(shí)際使用中的有源電路中往往都有半導(dǎo)體晶體管。在形形色色的電子世界中，晶體管是絕大部分電路功能的實(shí)現(xiàn)者，是電子電路設(shè)計(jì)者必須掌握的基本要素。只有正確地理解掌握了基本的電路器件，才能設(shè)計(jì)出符合目的的，功能正常、性能可靠的電路。在電子世界飛速發(fā)展的今天，掌握基本器件是正確、可靠地使用集成器件所必須的輔助條件。本文將列出幾種最常用的晶體管器件進(jìn)行簡(jiǎn)介

　　在硅［S、鍺［Ge］、砷化鎵［GaAs］等具有共價(jià)鍵的單晶本征半導(dǎo)體材料中，以特殊藝［如高溫?cái)U(kuò)散、離子注入等］“攙雜”進(jìn)一定濃度［106~~10的其它特定原子，在不破壞原半導(dǎo)體共價(jià)鍵的情況下，使“雜質(zhì)”原子在晶格的某些位置上替代原來材料的原子，因?yàn)樵w的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)的存在，以及雜質(zhì)原子與晶體原子的自由電子數(shù)目不相等，那么在形成共價(jià)鍵后，雜質(zhì)原子就會(huì)多出自由電子或者被共價(jià)鍵牽引而缺少了自由電子從整個(gè)材料特性看來仍然對(duì)外界表現(xiàn)岀電中性，但在晶格附近就會(huì)有多余的電子或者因缺少電子而形成了帶正電的“空穴”。有“多余”電子的攙雜材料就稱為 Negative型半導(dǎo)體，帶“空穴”的攙雜材料就稱為 Positive型半導(dǎo)體。從電路結(jié)構(gòu)上說來，PN結(jié)是一種特殊的材料接觸結(jié)構(gòu)：將P型半導(dǎo)體以及N型半導(dǎo)體以特定的工藝進(jìn)行原子級(jí)結(jié)合就可以形成PN結(jié)，PN結(jié)有這樣的特點(diǎn)：因P型半導(dǎo)體中的空、N型半導(dǎo)體中的電子互相“滲透”會(huì)形成一個(gè)接觸電場(chǎng)，方向?yàn)閺腘端指向P端。當(dāng)分別在P、N端加上電壓時(shí)，PN結(jié)將表現(xiàn)出寶貴的單向?qū)щ娦裕篜極加正電壓，N極加負(fù)電壓時(shí)接觸電場(chǎng)被削弱，PN結(jié)導(dǎo)通;N極加正電壓，P極加負(fù)電壓時(shí)接觸電場(chǎng)被增加，導(dǎo)致自電子無法通過。在PN正向?qū)〞r(shí)，因接觸電場(chǎng)的存在，將會(huì)在結(jié)上形成一固定壓降，硅PN結(jié)的壓降一般為0.6Ⅴ左右，鍺材料結(jié)的壓降為0.3~0.5V左右。鍺材料的溫度敏感性很這是典型的PN結(jié)伏安特性?？梢奝N結(jié)在加以很大的反壓時(shí)可以突然導(dǎo)通，導(dǎo)通電阻很小，導(dǎo)通電壓為V1，在加以正壓時(shí)，在一個(gè)比較小的電壓上［V2］，PN結(jié)也開始相對(duì)緩慢導(dǎo)通。于電壓V1處的導(dǎo)通稱為反向擊穿，擊穿后若對(duì)電流不加以限制，很容易使PN流燒毀，但電壓ⅥI比較穩(wěn)定，這個(gè)特性被運(yùn)用于穩(wěn)壓。V2處的導(dǎo)通稱為正向?qū)?，其電壓?duì)于硅管說來為0.6V左右，對(duì)于鍺管說來為0.3~0.5V左右。V1的電壓大小可以通過半導(dǎo)體加工工藝來改變，可以做到幾伏到幾千伏在PN區(qū)分別接上歐姆接觸電極，就構(gòu)成了各種“二極管”PN結(jié)的反向擊穿從機(jī)理上說來有兩種：齊納擊穿和雪崩擊穿