資料介紹
本發(fā)明屬于集成電路技術領域,特別涉及一種利用多晶硅版圖層次構
造靜電電流泄放通道的靜電放電防護電路。
背景技術
靜電放電是在一個集成電路浮接的情況下,大量的電荷從外向內灌入
集成電路的瞬時過程,整個過程大約耗時100ns。此外,在集成電路放電時
會產生數(shù)百甚至數(shù)千伏特的高壓,這會打穿集成電路中的輸入級的柵氧化
層。隨著集成電路中的MOS 管的尺寸越來越小,柵氧化層的厚度也越來
越薄,在這種趨勢下,使用高性能的靜電防護電路來泄放靜電放電的電荷
以保護柵極氧化層不受損害是十分必需的。
靜電放電現(xiàn)象的模式主要有四種:人體放電模式(HBM)、機械放電模
式(MM)、器件充電模式(CDM)以及電場感應模式(FIM)。對一般集成電路
產品來說,一般要經過人體放電模式,機械放電模式以及器件充電模式的
測試。為了能夠承受如此高的靜電放電電壓,集成電路產品通常必須使用
具有高性能、高耐受力的靜電放電保護器件。
造靜電電流泄放通道的靜電放電防護電路。
背景技術
靜電放電是在一個集成電路浮接的情況下,大量的電荷從外向內灌入
集成電路的瞬時過程,整個過程大約耗時100ns。此外,在集成電路放電時
會產生數(shù)百甚至數(shù)千伏特的高壓,這會打穿集成電路中的輸入級的柵氧化
層。隨著集成電路中的MOS 管的尺寸越來越小,柵氧化層的厚度也越來
越薄,在這種趨勢下,使用高性能的靜電防護電路來泄放靜電放電的電荷
以保護柵極氧化層不受損害是十分必需的。
靜電放電現(xiàn)象的模式主要有四種:人體放電模式(HBM)、機械放電模
式(MM)、器件充電模式(CDM)以及電場感應模式(FIM)。對一般集成電路
產品來說,一般要經過人體放電模式,機械放電模式以及器件充電模式的
測試。為了能夠承受如此高的靜電放電電壓,集成電路產品通常必須使用
具有高性能、高耐受力的靜電放電保護器件。
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