資料介紹
超低功耗電子電路系統(tǒng)設計原則
以手機為代表的電池供電電路的興起,為便攜式儀表開創(chuàng)了一個新的紀元。超低功耗電路系統(tǒng)(包括超低功耗的電源、單片機、放大器、液晶顯示屏等)已經(jīng)對電路設計人員形成了極大的誘惑。毫無疑問,超低功耗電路設計已經(jīng)對低功耗電路提出了挑戰(zhàn),并將擴展成為電子電路中的一個重要應用領域。
雖然超低功耗設計仍然是在CMOS集成電路(IC)基礎上發(fā)展起來的,但是因為用戶眾多,數(shù)千種專用或通用超低功耗IC不斷涌現(xiàn),使設計人員不再在傳統(tǒng)的CMOS型IC上下功夫,轉而選擇新型超低功耗IC,致使近年來產(chǎn)生了多種超低功耗儀表。電池供電的水表、暖氣表和煤氣表近幾年能夠發(fā)展起來就是一個證明。目前,電池供電的單片機則是超低功耗IC的代表。
本文將對超低功耗電路設計原則進行分析,并就怎樣設計成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述,從而證明了這種電路在電路結構和性價比等方面對傳統(tǒng)電路極具競爭力。
1、CMOS集成電路的功耗分析
無論是低功耗還是超低功耗IC,主要還是建立在CMOS電路基礎上的。雖然超低功耗IC對單元電路進行了新形式的設計,但作為功耗分析,仍然離不開CMOS電路基本原理。以74系列為代表的TTL集成電路,每門的平均功耗約為10mW;低功耗的TTL集成電路,每門平均功耗只有1mW。74系列高速CMOS電路,每門平均功耗約為10μW;而超低功耗CMOS通用小規(guī)模IC,整片的靜態(tài)平均功耗卻可低于10μW。傳統(tǒng)的單片機,休眠電流常在50μA~2mA范圍內(nèi);而超低功耗的單片機休眠電流可達到1μA以下。
CMOS電路的動態(tài)功耗不僅取決于負載,而且就電路內(nèi)部而言,功耗與電源電壓、集成度、輸出電平以及工作頻率都有密切聯(lián)系。因此設計超低功耗電路時不得不對全部元件的內(nèi)外性質做仔細分析。
CHMOS或CMOS電路的功耗特性一般可以表示為:
P=PD+PA
式中, P--總功耗
PD--靜態(tài)功耗,
PD=VDD·IDD (1)
PA--動態(tài)功耗,
PA=PTC+PC=VDD·ITC+Fclv2dd (2)
PTC --瞬時導通功耗
PC--輸出電容充放電功耗
VDD--工作電源電壓
IDD--靜態(tài)時由電源流向電路內(nèi)部的電流
ITC--脈沖電流的時間平均值
f--輸入脈沖重復頻率
CL--電路輸出端的負載電容
式(1)為靜態(tài)功耗表達式。其中,靜態(tài)功耗電流IDD值常用于評價電路的靜態(tài)功耗大小。它以電路中流經(jīng)各PN結的反向漏電流為主,而且它與電源電壓VDD有關,隨著VDD的加大,IDD亦增大。
式(2)為總的動態(tài)功耗表達式。動態(tài)功耗體現(xiàn)在電路進行邏輯狀態(tài)轉換過程中內(nèi)部消耗
以手機為代表的電池供電電路的興起,為便攜式儀表開創(chuàng)了一個新的紀元。超低功耗電路系統(tǒng)(包括超低功耗的電源、單片機、放大器、液晶顯示屏等)已經(jīng)對電路設計人員形成了極大的誘惑。毫無疑問,超低功耗電路設計已經(jīng)對低功耗電路提出了挑戰(zhàn),并將擴展成為電子電路中的一個重要應用領域。
雖然超低功耗設計仍然是在CMOS集成電路(IC)基礎上發(fā)展起來的,但是因為用戶眾多,數(shù)千種專用或通用超低功耗IC不斷涌現(xiàn),使設計人員不再在傳統(tǒng)的CMOS型IC上下功夫,轉而選擇新型超低功耗IC,致使近年來產(chǎn)生了多種超低功耗儀表。電池供電的水表、暖氣表和煤氣表近幾年能夠發(fā)展起來就是一個證明。目前,電池供電的單片機則是超低功耗IC的代表。
本文將對超低功耗電路設計原則進行分析,并就怎樣設計成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述,從而證明了這種電路在電路結構和性價比等方面對傳統(tǒng)電路極具競爭力。
1、CMOS集成電路的功耗分析
無論是低功耗還是超低功耗IC,主要還是建立在CMOS電路基礎上的。雖然超低功耗IC對單元電路進行了新形式的設計,但作為功耗分析,仍然離不開CMOS電路基本原理。以74系列為代表的TTL集成電路,每門的平均功耗約為10mW;低功耗的TTL集成電路,每門平均功耗只有1mW。74系列高速CMOS電路,每門平均功耗約為10μW;而超低功耗CMOS通用小規(guī)模IC,整片的靜態(tài)平均功耗卻可低于10μW。傳統(tǒng)的單片機,休眠電流常在50μA~2mA范圍內(nèi);而超低功耗的單片機休眠電流可達到1μA以下。
CMOS電路的動態(tài)功耗不僅取決于負載,而且就電路內(nèi)部而言,功耗與電源電壓、集成度、輸出電平以及工作頻率都有密切聯(lián)系。因此設計超低功耗電路時不得不對全部元件的內(nèi)外性質做仔細分析。
CHMOS或CMOS電路的功耗特性一般可以表示為:
P=PD+PA
式中, P--總功耗
PD--靜態(tài)功耗,
PD=VDD·IDD (1)
PA--動態(tài)功耗,
PA=PTC+PC=VDD·ITC+Fclv2dd (2)
PTC --瞬時導通功耗
PC--輸出電容充放電功耗
VDD--工作電源電壓
IDD--靜態(tài)時由電源流向電路內(nèi)部的電流
ITC--脈沖電流的時間平均值
f--輸入脈沖重復頻率
CL--電路輸出端的負載電容
式(1)為靜態(tài)功耗表達式。其中,靜態(tài)功耗電流IDD值常用于評價電路的靜態(tài)功耗大小。它以電路中流經(jīng)各PN結的反向漏電流為主,而且它與電源電壓VDD有關,隨著VDD的加大,IDD亦增大。
式(2)為總的動態(tài)功耗表達式。動態(tài)功耗體現(xiàn)在電路進行邏輯狀態(tài)轉換過程中內(nèi)部消耗
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