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The HM-6518/883 is a 1024 x 1 static CMOS RAM
fabricated using self-aligned silicon gate technology.
Synchronous circuit design techniques are employed to
achieve high performance and low power operation.
On chip latches are provided for address and data outputs
allowing efficient interfacing with microprocessor systems.
The data output buffers can be forced to a high impedance
state for use in expanded memory arrays.
The HM-6518/883 is a fully static RAM and may be
maintained in any state for an indefinite period of time. Data
retention supply voltage and supply current are guaranteed
over temperature.
fabricated using self-aligned silicon gate technology.
Synchronous circuit design techniques are employed to
achieve high performance and low power operation.
On chip latches are provided for address and data outputs
allowing efficient interfacing with microprocessor systems.
The data output buffers can be forced to a high impedance
state for use in expanded memory arrays.
The HM-6518/883 is a fully static RAM and may be
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