鎂光MT29F閃存規(guī)格書

　　Open NAND Flash Interface （ONFI） 3.0-compliant? Multiple-level cell （MLC） technology

　　? Organization– Page size x8： 17，600 bytes （16，384 + 1216 bytes）– Block size： 512 pages （8192K + 608K bytes）– Plane size： 2 planes x 1024 blocks per plane– Device size： 128Gb： 2048 blocks;256Gb： 4096 blocks;512Gb： 8192 blocks;1Tb： 16，384 blocks? NV-DDR2 I/O performance– Up to NV-DDR2 timing mode 6– Clock rate： 6ns （NV-DDR2）– Read/write throughput per pin： 333 MT/s? NV-DDR I/O performance– Up to NV-DDR timing mode 5– Clock rate： 10ns （NV-DDR）– Read/write throughput per pin： 200 MT/s? Asynchronous I/O performance– Up to asynchronous timing mode 5–tRC/tWC： 20ns （MIN）– Read/write throughput per pin： 50 MT/s? Array performance– Read page： 115μs （MAX）– Program page： 1600μs （TYP）– Erase block： 3ms （TYP）? Operating Voltage Range– VCC： 2.7–3.6V

　　– VCCQ： 1.7–1.95V

　　? Command set： ONFI NAND Flash Protocol? Advanced Command Set– Program cache– Read cache sequential– Read cache random– One-time programmable （OTP） mode– Multi-plane commands– Multi-LUN operations– Read Unique ID– Copyback

　　? First block （block address 00h） is valid when shipped from factory. For minimum required ECC， seeError Management （page 146