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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子教材>LED陣列的設(shè)計(jì)和制作工藝研究

      LED陣列的設(shè)計(jì)和制作工藝研究

      2010-12-16 | rar | 472 | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      L ED 微顯示器件作為一種全固體的主動(dòng)發(fā)
      光器件,具有工作電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度
      快、性能穩(wěn)定可靠、工作溫度范圍寬等許多優(yōu)
      點(diǎn)[1 ,2 ] 。自1998 年德國亞琛工業(yè)大學(xué)采用濕法腐
      蝕方法在Al Ga InP 發(fā)光芯片上制作發(fā)光二極管
      陣列的初步研究以來[3 ] , L ED 微顯示器件的研究
      取得了突破性進(jìn)展。2001 年,美國堪薩斯州立大
      學(xué)利用L ED 陣列技術(shù)研制出具有InGaN/ GaN
      量子阱結(jié)構(gòu)、像素直徑為12 μm 的10 ×10 藍(lán)色
      微型半導(dǎo)體陣列顯示器件[4 ] 。2004 年,英國斯特
      拉思克萊德大學(xué)利用干法刻蝕工藝制作出了藍(lán)色
      GaN 發(fā)光二極管陣列[ 5 ] ,因采用ICP 刻蝕技術(shù),
      所研制的發(fā)光二極管陣列與常規(guī)方法相比具有更
      好的光學(xué)、電學(xué)性能和更高的一致性。L ED 陣列
      技術(shù)意味著可以在很小的面積上集成很多發(fā)光像
      素,并且可以采用成熟的陣列尋址方式驅(qū)動(dòng)器件
      工作,因此L ED 微顯示器是具有產(chǎn)業(yè)化前景的研
      究方向。

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