MBE技術(shù)在InN材料中的應(yīng)用及其晶體質(zhì)量和光學(xué)特性的影響介紹
資料介紹
在si ( 111)襯底上分別預(yù)沉積0,0.1,o.5,1 nm厚度的In插入層后,采用等離子輔助分子束外延法制備了纖鋅礦結(jié)構(gòu)的I nN材料,結(jié)合x射線衍射(XRD) 、掃描電子顯微鏡(SEM) 、吸收譜及光致發(fā)光譜研究了不同厚度的I n插入層對(duì)外延I nN晶體質(zhì)量和光學(xué)特性的影響。XRD和SEM的測試結(jié)果表明,在si 襯底上預(yù)沉積O.5 nm厚的I n插入層有利于改善外延I nN材料的形貌,提高材料的晶體質(zhì)量。吸收譜和光致發(fā)光譜測試表明,0.5 nm厚I n插入層對(duì)應(yīng)的I nN樣品吸收邊藍(lán)移程度最小,光致發(fā)射譜半峰寬最窄,并且有最高的帶邊輻射復(fù)合發(fā)光效率??梢姡脒m當(dāng)厚度的I nN插入層可以改善Si襯底上外延InN材料的晶體質(zhì)量和光學(xué)特性。
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