資料介紹
在各種生物識別技術(shù)中,指紋識別技術(shù)是最成熟、準(zhǔn)確和最易使用的。而指紋采集作為指紋識別系統(tǒng)中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)也越來越受到人們的重視,高質(zhì)量的指紋采集技術(shù)已成為一個(gè)重要的研究課題。指紋圖像的采集是自動指紋識別系統(tǒng)(AFIS-Automation Fingerprint Identification System)的重要組成部分,采集到的指紋圖像的質(zhì)量好壞,直接影響到后續(xù)的指紋圖像處理過程。高質(zhì)量的指紋圖像可以大大簡化指紋圖像處理的算法,提高識別率,減小拒識率。
隨著新型半導(dǎo)體指紋采集傳感器件和DSP,CPLD技術(shù)的發(fā)展,自動指紋識別技術(shù)正向著小型化和嵌入式的方向發(fā)展。本文介紹的就是基于DSP的指紋采集系統(tǒng)。
本系統(tǒng)的原理
本系統(tǒng)中的指紋傳感器采用FPS200固態(tài)指紋芯片,其成像原理如圖1所示。由圖1可以看出,一個(gè)像素點(diǎn)上有一個(gè)金屬電極,手指皮膚是另一個(gè)電極,兩者之間形成了電容CP。手指皮膚上的脊(ridge)和谷(valley)將產(chǎn)生不同的CP。由于CP很小,無法直接測量,所以使用以下方法:先以一固定時(shí)間對CP充電(SW1關(guān)且SA2開),接著以一固定時(shí)間對CP放電(SW1開且SW2關(guān)),放出的電能將轉(zhuǎn)儲到Cc中。每一次充電放電周期中,由于充電電壓相同,充電時(shí)間相同,所以不同的CP值將導(dǎo)致CP存儲不同的電能。這些電能在CP放電時(shí)將轉(zhuǎn)儲到Cc中導(dǎo)致Cc電壓的增高。所以CP值的不同將導(dǎo)致一次充電放電周期結(jié)束后Cc電壓增高值的不同(成正比),最后將導(dǎo)致Cc電壓增高到參考電壓所需的充電放電周期次數(shù)的不同(成反比),這樣就可以通過充電放電周期次數(shù)來測量CP了。
圖1 FPS200指紋成像原理
傳感器陣列包括256列×300行的傳感器電極,每一列都有兩個(gè)采樣—保持電路與之相聯(lián)系。采集一個(gè)指紋圖像時(shí)獲取一行數(shù)據(jù),而此過程共有兩個(gè)階段。第一階段,傳感器電極中被選擇的行預(yù)充電到VDD電平,一個(gè)內(nèi)部信號允許第一采樣—保持電路集合保存預(yù)充電行的電平。第二階段,行傳感器電極以一定電流放電,每個(gè)單元的放電率跟“放電電流”成比例。經(jīng)過一段時(shí)間(即“放電時(shí)間”)后,一個(gè)內(nèi)部信號允許第二采樣——保持電路集合保存最終電極的電平。預(yù)充電與放電后的電極電平之間的差別在于傳感器電容量。行獲取結(jié)束后,就可以對行中的每個(gè)單元進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換了。芯片的敏感度可以通過調(diào)整放電時(shí)間與放電電流來控制;電流源的參考值由外接于ISET和地之間的電阻來決定,其由放電電流寄存器(DCR)控制;放電時(shí)間由放電時(shí)間寄存器(DTR)控制。
當(dāng)指紋中的凸起部分置于傳感電容像素電極上時(shí),電容會有所增加,通過檢測增加的電容就能進(jìn)行指紋采集。傳感器中的像素點(diǎn)大小為45μm2,間隔為50μm,像素陣列的分辨率略高于500dpi,基于一種標(biāo)準(zhǔn)的單一多晶硅三層金屬0.5μm CMOS工藝。
處于指紋的凸起下的像素(電容量高)放電較慢,而處于指紋的凹處下的像素(電容量低)放電較快。這種不同的放電率可通過采樣保持(S/H)電路檢測并轉(zhuǎn)換成一個(gè)8位數(shù)字量輸出,這種檢測方法對指紋凸起和低凹具有較高的敏感性,并可形成非常好的原始指紋圖像。指紋圖像依次進(jìn)行逐行采集,每個(gè)金屬電極均作為電容的一個(gè)極,與之接觸的手指則是電容的另一個(gè)極。在器件表面有一層鈍化層,作為電容兩個(gè)電極間的電介質(zhì)層。將手指置于傳感器上時(shí),指紋上的凸起和凹進(jìn)會在陣列上產(chǎn)生不同的電容值,并構(gòu)成用于認(rèn)證的一整幅圖像。
系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
本系統(tǒng)的工作主要由以下部分構(gòu)成:指紋圖像采集部分、程序與數(shù)據(jù)存儲部分、全局邏輯控制部分以及數(shù)據(jù)通信部分。
指紋圖像采集部分:系統(tǒng)利用軟件查詢方式來判斷是否進(jìn)行指紋的采集。當(dāng)進(jìn)行指紋采集時(shí),指紋傳感芯片按照設(shè)定的參數(shù)采集指紋并將模擬圖像轉(zhuǎn)換成數(shù)字圖像,然后在DSP的控制下將數(shù)據(jù)存儲在外部數(shù)據(jù)空間中,等待進(jìn)行下一步的處理。
隨著新型半導(dǎo)體指紋采集傳感器件和DSP,CPLD技術(shù)的發(fā)展,自動指紋識別技術(shù)正向著小型化和嵌入式的方向發(fā)展。本文介紹的就是基于DSP的指紋采集系統(tǒng)。
本系統(tǒng)的原理
本系統(tǒng)中的指紋傳感器采用FPS200固態(tài)指紋芯片,其成像原理如圖1所示。由圖1可以看出,一個(gè)像素點(diǎn)上有一個(gè)金屬電極,手指皮膚是另一個(gè)電極,兩者之間形成了電容CP。手指皮膚上的脊(ridge)和谷(valley)將產(chǎn)生不同的CP。由于CP很小,無法直接測量,所以使用以下方法:先以一固定時(shí)間對CP充電(SW1關(guān)且SA2開),接著以一固定時(shí)間對CP放電(SW1開且SW2關(guān)),放出的電能將轉(zhuǎn)儲到Cc中。每一次充電放電周期中,由于充電電壓相同,充電時(shí)間相同,所以不同的CP值將導(dǎo)致CP存儲不同的電能。這些電能在CP放電時(shí)將轉(zhuǎn)儲到Cc中導(dǎo)致Cc電壓的增高。所以CP值的不同將導(dǎo)致一次充電放電周期結(jié)束后Cc電壓增高值的不同(成正比),最后將導(dǎo)致Cc電壓增高到參考電壓所需的充電放電周期次數(shù)的不同(成反比),這樣就可以通過充電放電周期次數(shù)來測量CP了。
圖1 FPS200指紋成像原理
傳感器陣列包括256列×300行的傳感器電極,每一列都有兩個(gè)采樣—保持電路與之相聯(lián)系。采集一個(gè)指紋圖像時(shí)獲取一行數(shù)據(jù),而此過程共有兩個(gè)階段。第一階段,傳感器電極中被選擇的行預(yù)充電到VDD電平,一個(gè)內(nèi)部信號允許第一采樣—保持電路集合保存預(yù)充電行的電平。第二階段,行傳感器電極以一定電流放電,每個(gè)單元的放電率跟“放電電流”成比例。經(jīng)過一段時(shí)間(即“放電時(shí)間”)后,一個(gè)內(nèi)部信號允許第二采樣——保持電路集合保存最終電極的電平。預(yù)充電與放電后的電極電平之間的差別在于傳感器電容量。行獲取結(jié)束后,就可以對行中的每個(gè)單元進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換了。芯片的敏感度可以通過調(diào)整放電時(shí)間與放電電流來控制;電流源的參考值由外接于ISET和地之間的電阻來決定,其由放電電流寄存器(DCR)控制;放電時(shí)間由放電時(shí)間寄存器(DTR)控制。
當(dāng)指紋中的凸起部分置于傳感電容像素電極上時(shí),電容會有所增加,通過檢測增加的電容就能進(jìn)行指紋采集。傳感器中的像素點(diǎn)大小為45μm2,間隔為50μm,像素陣列的分辨率略高于500dpi,基于一種標(biāo)準(zhǔn)的單一多晶硅三層金屬0.5μm CMOS工藝。
處于指紋的凸起下的像素(電容量高)放電較慢,而處于指紋的凹處下的像素(電容量低)放電較快。這種不同的放電率可通過采樣保持(S/H)電路檢測并轉(zhuǎn)換成一個(gè)8位數(shù)字量輸出,這種檢測方法對指紋凸起和低凹具有較高的敏感性,并可形成非常好的原始指紋圖像。指紋圖像依次進(jìn)行逐行采集,每個(gè)金屬電極均作為電容的一個(gè)極,與之接觸的手指則是電容的另一個(gè)極。在器件表面有一層鈍化層,作為電容兩個(gè)電極間的電介質(zhì)層。將手指置于傳感器上時(shí),指紋上的凸起和凹進(jìn)會在陣列上產(chǎn)生不同的電容值,并構(gòu)成用于認(rèn)證的一整幅圖像。
系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)
本系統(tǒng)的工作主要由以下部分構(gòu)成:指紋圖像采集部分、程序與數(shù)據(jù)存儲部分、全局邏輯控制部分以及數(shù)據(jù)通信部分。
指紋圖像采集部分:系統(tǒng)利用軟件查詢方式來判斷是否進(jìn)行指紋的采集。當(dāng)進(jìn)行指紋采集時(shí),指紋傳感芯片按照設(shè)定的參數(shù)采集指紋并將模擬圖像轉(zhuǎn)換成數(shù)字圖像,然后在DSP的控制下將數(shù)據(jù)存儲在外部數(shù)據(jù)空間中,等待進(jìn)行下一步的處理。
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