微系統(tǒng)中的IPD是什么樣的？IPD技術(shù)分類(lèi)和市場(chǎng)分析資料概述

　　隨著有源器件集成度不斷提高，越來(lái)越多的功能被集成到單片上，這對(duì)集成無(wú)源元件形成很大的壓力，無(wú)線產(chǎn)品的射頻部分尤其明顯。在PCB板上，無(wú)源電子元件占91%的數(shù)量、41%的面積和29%的焊點(diǎn)，占安裝成本的55%，占體積的70%。在過(guò)去的幾年中，SMD電感和電容的密度得到了明顯改進(jìn)。目前市場(chǎng)上購(gòu)買(mǎi)的大都是01005（250μm×125μm本征區(qū)域） SMD電感和電容元件，使用更小尺寸的SMD無(wú)源元件無(wú)疑是降低系統(tǒng)整體尺寸的好方法，但是必須以保證成本效益為前提。此時(shí)的問(wèn)題是，01005 SMD的組裝成本仍然居高不下（4倍于0201部件），而01005部件所使用的元件價(jià)格也相當(dāng)高（4倍于0201部件）。

　　2.IPD技術(shù)分類(lèi)

　　目前可用的集成無(wú)源器件技術(shù)有3大類(lèi)，分別是薄膜技術(shù)、低溫共燒陶瓷技術(shù)（LTCC）、基于高密度互連（HDI）的延伸技術(shù)和其他印制電路板（PCB）技術(shù)。

　　薄膜IPD技術(shù)，基于光刻、CVD沉積、磁控濺射等工藝，膜厚一般在1um以下，可以將無(wú)源器件尺寸縮小一個(gè)數(shù)量級(jí)。

　　薄膜IPD技術(shù)一般有兩種類(lèi)型，一種是利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝在硅襯底上同時(shí)制作無(wú)源和有源元件。采用這種方法工藝均勻性和一致性最好，制成的無(wú)源元件的精度最高，但是存在有源器件和無(wú)源器件之間的串?dāng)_。還有一種就是采用SIP或者CHipLet焊接技術(shù)將制作好的IC芯片和無(wú)源元件集成到一個(gè)封裝架構(gòu)內(nèi)，實(shí)現(xiàn)三維形式的系統(tǒng)級(jí)封裝。實(shí)際上這種技術(shù)主要是為了減小有源元件和無(wú)源元件協(xié)同設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)難度。

　　LTCC是典型的厚膜IPD技術(shù)，廣泛運(yùn)用在民用通信、軍用電子中。然而陶瓷基板燒結(jié)時(shí)收縮嚴(yán)重，難以形成高精度埋置元件；厚膜印刷典型線寬在幾十um，而且公差情況不佳，集成度有待提高；需要900°C左右的燒結(jié)溫度，有源器件如IC芯片無(wú)法埋置在基板內(nèi)，難以實(shí)現(xiàn)有源元件和無(wú)源元件的混合集成。

　　HDI和PCB技術(shù)通常用于數(shù)字系統(tǒng)。

　　綜上所述，在適于射頻集成的多中技術(shù)中，薄膜無(wú)源集成技術(shù)通常能夠提過(guò)優(yōu)良的元件精度和功能密度，以及集成度高、體積小和重量輕的產(chǎn)品，成為無(wú)源集成技術(shù)發(fā)展的主流方向。