資料介紹
靜電放電(ESD,Electrostatic Discharge)給電子器件環(huán)境會帶來破壞性的后果。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,互補金屬氧化物半
導(dǎo)體(CMOS,Complementary Metal-Oxide Semiconductor)的特征尺寸不斷縮小,
金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄,MOS 管
能承受的電流和電壓也越來越小,因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD 性能,需要從全芯片
ESD 保護結(jié)構(gòu)的設(shè)計來進行考慮。
2 ESD 的測試方法
ESD 模型常見的有三種,人體模型(HBM ,Human Body Model)、充電器件模型
(CDM,Charge Device Model)和機器模型(MM,Machine Mode),其中以人體模型最
為通行。一般的商用芯片,要求能夠通過2kV 靜電電壓的HBM 檢測。對于HBM 放電,
其電流可在幾百納秒內(nèi)達到幾安培,足以損壞芯片內(nèi)部的電路。
它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展,互補金屬氧化物半
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