MGJ系列DC-DC轉(zhuǎn)換器的介紹和應(yīng)用的詳細(xì)資料概述

　　在高功率，逆變器或轉(zhuǎn)換器通常使用“橋”配置來(lái)產(chǎn)生線頻交流或提供雙向PWM驅(qū)動(dòng)到電機(jī)，變壓器或其他負(fù)載。橋式電路通常包括IGBT或MOSFET，包括SiC和GaN品種，作為“高端”開(kāi)關(guān)，其發(fā)射器/源是高壓和高頻的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。因此，使用發(fā)射器/源作為基準(zhǔn)的柵極驅(qū)動(dòng)PWM信號(hào)和相關(guān)的驅(qū)動(dòng)功率軌必須與地電隔離。另外的要求是驅(qū)動(dòng)電路和相關(guān)的功率軌應(yīng)該不受開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的高“dV/dt”的影響，并且具有非常低的耦合電容。在許多情況下，橋式電路需要與控制電路安全機(jī)構(gòu)額定的隔離，因此驅(qū)動(dòng)電路隔離屏障必須是堅(jiān)固的，并且在設(shè)計(jì)壽命期間不會(huì)由于局部放電效應(yīng)而顯示出明顯的劣化。

　　MGJ系列DC-DC轉(zhuǎn)換器被設(shè)計(jì)成為這些“高端”柵極驅(qū)動(dòng)電路提供最佳的驅(qū)動(dòng)電壓和隔離。

　　柵極驅(qū)動(dòng)電路的正功率軌電壓應(yīng)該足夠高，以確保功率開(kāi)關(guān)的完全飽和/增強(qiáng)而不超過(guò)其柵極的絕對(duì)最大電壓。MGJ系列有15 V，+19V或20 V的選項(xiàng)，以適應(yīng)各種設(shè)備。例如，IGBT和GaN MOSFET將在15V驅(qū)動(dòng)下完全導(dǎo)通，但是典型的SiC MOSFET可能需要接近20V才能完全增強(qiáng)。見(jiàn)正電壓選項(xiàng)表1。