資料介紹
1. 模擬運(yùn)放的分類及特點(diǎn)
模擬運(yùn)算放大器從誕生至今,已有40多年的歷史了。最早的工藝是采用硅NPN工藝,后來改進(jìn)為硅NPN-PNP工藝(后面稱為標(biāo)準(zhǔn)硅工藝)。在結(jié)型場效應(yīng)管技術(shù)成熟后,又進(jìn)一步的加入了結(jié)型場效應(yīng)管工藝。當(dāng)MOS管技術(shù)成熟后,特別是CMOS技術(shù)成熟后,模擬運(yùn)算放大器有了質(zhì)的飛躍,一方面解決了低功耗的問題,另一方面通過混合模擬與數(shù)字電路技術(shù),解決了直流小信號直接處理的難題。
經(jīng)過多年的發(fā)展,模擬運(yùn)算放大器技術(shù)已經(jīng)很成熟,性能曰臻完善,品種極多。這使得初學(xué)者選用時(shí)不知如何是好。為了便于初學(xué)者選用,本文對集成模擬運(yùn)算放大器采用工藝分類法和功能/性能分類分類法等兩種分類方法,便于讀者理解,可能與通常的分類方法有所不同。
1.1.根據(jù)制造工藝分類
根據(jù)制造工藝,目前在使用中的集成模擬運(yùn)算放大器可以分為標(biāo)準(zhǔn)硅工藝運(yùn)算放大器、在標(biāo)準(zhǔn)硅工藝中加入了結(jié)型場效應(yīng)管工藝的運(yùn)算放大器、在標(biāo)準(zhǔn)硅工藝中加入了MOS工藝的運(yùn)算放大器。按照工藝分類,是為了便于初學(xué)者了解加工工藝對集成模擬運(yùn)算放大器性能的影響,快速掌握運(yùn)放的特點(diǎn)。
標(biāo)準(zhǔn)硅工藝的集成模擬運(yùn)算放大器的特點(diǎn)是開環(huán)輸入阻抗低,輸入噪聲低、增益稍低、成本低,精度不太高,功耗較高。這是由于標(biāo)準(zhǔn)硅工藝的集成模擬運(yùn)算放大器內(nèi)部全部采用NPN-PNP管,它們是電流型器件,輸入阻抗低,輸入噪聲低、增益低、功耗高的特點(diǎn),即使輸入級采用多種技術(shù)改進(jìn),在兼顧起啊挺能的前提下仍然無法擺脫輸入阻抗低的問題,典型開環(huán)輸入阻抗在1M歐姆數(shù)量級。為了顧及頻率特性,中間增益級不能過多,使得總增益偏小,一般在80~110dB之間。標(biāo)準(zhǔn)硅工藝可以結(jié)合激光修正技術(shù),使集成模擬運(yùn)算放大器的精度大大提高,溫度漂移指標(biāo)目前可以達(dá)到0.15ppm。通過變更標(biāo)準(zhǔn)硅工藝,可以設(shè)計(jì)出通用運(yùn)放和高速運(yùn)放。典型代表是LM324。
在標(biāo)準(zhǔn)硅工藝中加入了結(jié)型場效應(yīng)管工藝的運(yùn)算放大器主要是將標(biāo)準(zhǔn)硅工藝的集成模擬運(yùn)算放大器的輸入級改進(jìn)為結(jié)型場效應(yīng)管,大大提高運(yùn)放的開環(huán)輸入阻抗,順帶提高通用運(yùn)放的轉(zhuǎn)換速度,其它與標(biāo)準(zhǔn)硅工藝的集成模擬運(yùn)算放大器類似。典型開環(huán)輸入阻抗在1000M歐姆數(shù)量級。典型代表是TL084。
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