電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近國內(nèi)關(guān)于第四代半導(dǎo)體的消息很多，特別是在材料制備方面似乎有不少新突破。我們熟知的碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體，而第四代半導(dǎo)體的其中一個(gè)重要特征
2023-03-27 01:49:00
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支持第四代 PCIe的賽靈思首款輕量級(jí)加速卡，面向數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵工作負(fù)載，在更大吞吐量，更低時(shí)延和更高功耗效率實(shí)現(xiàn)了大幅提升。
2019-08-07 09:33:082639 3.5GHz及以上頻率，LDMOS存在固有技術(shù)限制。第四代氮化鎵技術(shù)通過4GLTE基礎(chǔ)設(shè)施確立了相對(duì)于LDMOS的領(lǐng)先優(yōu)勢，其在功率密度、節(jié)省空間和能源效率方面具有顯著優(yōu)勢，而且還有助于實(shí)現(xiàn)優(yōu)于LDMOS
2017-08-03 16:28:14
及以上頻率，LDMOS存在固有技術(shù)限制。第四代氮化鎵技術(shù)通過4GLTE基礎(chǔ)設(shè)施確立了相對(duì)于LDMOS的領(lǐng)先優(yōu)勢，其在功率密度、節(jié)省空間和能源效率方面具有顯著優(yōu)勢，而且還有助于實(shí)現(xiàn)優(yōu)于LDMOS的成本結(jié)構(gòu)
2017-06-06 18:03:10
水平。2022年12月，銘鎵半導(dǎo)體完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，成為國內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。2022年5月，浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)
2023-03-15 11:09:59
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今，已過去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動(dòng)有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)向軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，初級(jí) FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對(duì) 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世紀(jì)四大發(fā)明之一，半導(dǎo)體激光器是采用半導(dǎo)體芯片加工工藝制備的激光器，具有體積小、成本低、壽命長等優(yōu)勢，是應(yīng)用最多的激光器類別。氮化鎵激光器（LD）是重要的光電子器件，基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
效率以及加熱和照明精度將在不久的將來發(fā)生質(zhì)的飛躍。 制造和成本效益的突破 鑒于5G基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)建將以前所未有的節(jié)奏和規(guī)模進(jìn)行，人們越來越關(guān)注硅基氮化鎵相對(duì)于LDMOS和碳化硅基氮化鎵的成本結(jié)構(gòu)、制造和快速
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
第四代CSR8670開發(fā)板開發(fā)步驟Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召開的第十三屆中國衛(wèi)星導(dǎo)航年會(huì)（CSNC2022）上，深圳華大北斗科技股份有限公司研發(fā)的第四代北斗芯片正式發(fā)布。
這是一款擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國產(chǎn)基帶和射頻一體化SoC芯片，作為
2023-09-21 09:52:00
能用還是未知數(shù)。那么，4G網(wǎng)絡(luò)來襲，晶振的再次變革還會(huì)遠(yuǎn)嗎?為此，松季電子提到4G網(wǎng)絡(luò)的到來，電子產(chǎn)品行業(yè)的再一次革新將就此展開，晶振行業(yè)也將迎來新的發(fā)展?！ ?G是第四代移動(dòng)通信及其技術(shù)的簡稱。與傳統(tǒng)
2013-11-15 15:56:24
第四代移動(dòng)通信技術(shù)是什么？有什么主要特點(diǎn)？第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)有哪些關(guān)鍵技術(shù)？
2021-05-26 07:07:28
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIe的非易失性存儲(chǔ)器高速（NVMe）固態(tài)硬盤?！ ∵@些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)
2020-11-23 06:10:45
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項(xiàng)目意法半導(dǎo)體獲準(zhǔn)使用MACOM的技術(shù)制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預(yù)計(jì)硅上氮化鎵具有突破性的成本結(jié)構(gòu)和功率密度將會(huì)實(shí)現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過高，但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化鎵技術(shù)(MACOM GaN)使得二者成本結(jié)構(gòu)趨于相當(dāng)?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵的MAGb功率晶體管在2.6GHz頻段可提供高于70
2017-08-30 10:51:37
負(fù)有盛名。MACOM公司氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)是第四代，且極具價(jià)格優(yōu)勢和廣闊的應(yīng)用前景。2017 電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì)展臺(tái)現(xiàn)場Demo關(guān)于MACOM據(jù)悉，MACOM是一家高性能模擬射頻、微波和光學(xué)半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域
2017-07-18 16:38:20
MIMO-OFDM系統(tǒng)為什么能成為第四代移動(dòng)通信領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)和重點(diǎn)？
2021-05-27 06:39:06
。二者的有效結(jié)合可以克服多徑效應(yīng)和頻率選擇性衰落帶來的不良影響，實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸?shù)母叨瓤煽啃裕€可以增加系統(tǒng)容量，提高頻譜利用率，是第四代移動(dòng)通信的熱點(diǎn)技術(shù)。
2019-06-18 07:12:10
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關(guān)
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位?！喝c(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵也處于這一階段，成本將會(huì)隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術(shù)挫折歸咎為芯片本身設(shè)計(jì)問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領(lǐng)域，但是大部分時(shí)候是應(yīng)用層面的問題，和芯片沒有關(guān)系。這種情況對(duì)新興的第三代半導(dǎo)體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
的測試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
，公司一直專注于砂漿罐和砂漿機(jī)械化施工設(shè)備的研發(fā)和制造，先后推出了第一代到第四代砂漿罐以及一系列機(jī)械化施工設(shè)備，特別是第四代強(qiáng)制型砂漿罐一經(jīng)推出，由于其環(huán)保、高效的性能，得到了砂漿企業(yè)和建筑工地的一致好評(píng)，為中國預(yù)拌砂漿的健康發(fā)展作出貢獻(xiàn)。
2017-07-03 10:12:05
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
隨著企業(yè)計(jì)算從第三代串行標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)向第四代串行標(biāo)準(zhǔn)，我們的客戶需要一臺(tái)高精度示波器，支持并可擴(kuò)展地進(jìn)行無縫轉(zhuǎn)換。DPO70000SX的最低型號(hào)為23或33GHz，其可擴(kuò)充的結(jié)構(gòu)提供了“升級(jí)空間“，在
2016-06-08 15:02:10
接上篇橫掃第四代串行測試文章，隔得太久大家可能忘記前排文章的內(nèi)容了，這里就不重復(fù)敘述了，上篇直通車→橫掃第四代串行測試一 隨著各種重大行業(yè)規(guī)范不斷進(jìn)化，如PCIe，我們的測試測量工具也必須保持同步
2016-07-07 17:28:56
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
本文通過對(duì)本田第四代混合動(dòng)力系統(tǒng)IMA的工作特性與主要零部件的分析研究，揭示了其基本的設(shè)計(jì)思想和工作原理，對(duì)于國內(nèi)輕度混聯(lián)混合動(dòng)力汽車的研發(fā)具有一定的借鑒作用。
2021-05-12 06:08:11
處理，謝謝。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）已經(jīng)成為5G宏基站功率放大器的主流候選技術(shù)。GaN HEMT憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
Systems的同仁們。GaN Systems的產(chǎn)品以650V和100V表貼氮化鎵單管為主，根據(jù)筆者以前收集的資料，公司的氮化鎵產(chǎn)品主要通過臺(tái)積電Fab2代工。GaN Systems的產(chǎn)品以650V
2023-03-03 16:48:40
階段，可見未來5年工地對(duì)第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的需求會(huì)越來越大。 那么一款專業(yè)的工人專用空氣凈化施工產(chǎn)品應(yīng)當(dāng)是怎樣的標(biāo)準(zhǔn)呢？ 第四代強(qiáng)制式干混砂漿罐的產(chǎn)品介紹： 攪拌機(jī)開機(jī)后，罐內(nèi)的砂漿通過手動(dòng)蝶閥或
2017-06-16 11:00:57
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
ADI最新推出設(shè)計(jì)用于LTE(長期演進(jìn))和第四代(4G)蜂窩基站的高集成度RF IC(射頻集成電路)系列。LTE是UMTS(通用移動(dòng)電信系統(tǒng))標(biāo)準(zhǔn)的增強(qiáng)版，它被視為邁向蜂窩網(wǎng)絡(luò)中第四代射頻技術(shù)的終極階段。
2019-09-30 07:18:19
本文從基本概念、接入系統(tǒng)、關(guān)鍵技術(shù)等幾個(gè)方面全面介紹了第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)，并簡單介紹了OFDM 技術(shù)在第四代移動(dòng)通信中的應(yīng)用。
2009-11-28 11:46:59
42 iPod nano(第四代)功能指南手冊
2009-12-10 15:29:1259 Intel 第四代Xeon?可擴(kuò)展處理器Intel第4代Xeon? 可擴(kuò)展處理器設(shè)計(jì)旨在加速以下增長最快工作負(fù)載領(lǐng)域的性能：人工智能 (AI)、數(shù)據(jù)分析、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)器和高性能計(jì)算 (HPC) 。這些
2024-02-27 12:19:48
9294第四代智VCD維修解碼板使用說明
第四代智能VCD維修解碼板新增功能：1、增加目前市面上最流行的LED數(shù)碼屏
2009-04-28 15:39:251378 淺析第四代移動(dòng)通信
引言 移動(dòng)通信技術(shù)飛速發(fā)展，已經(jīng)歷了3個(gè)主要發(fā)展階段。每一代的發(fā)展都是技術(shù)的突破和觀念的創(chuàng)新。第一代起源于20世紀(jì)80年
2010-01-23 10:19:451099 第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光
北京時(shí)間2月9日早間消息，美國數(shù)碼產(chǎn)品維修網(wǎng)站iResQ今天刊文，曝光了蘋果第四代iPhone的更多細(xì)節(jié)及圖片，第四代iPhone要比當(dāng)前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746 第四代iPhone細(xì)節(jié)曝光
2010-02-22 10:25:18354 S2C在中國推出ALLEGRO公司的廣播級(jí)、第四代H.264 High Profile編碼器。相對(duì)于前面三代，第四代的特點(diǎn)是支持MVC(3D)、支持低延遲、支持低比特率、支持藍(lán)光和B幀
2011-07-21 09:07:091470 賽普拉斯(Cypress)發(fā)表第四代TrueTouch觸控螢?zāi)豢刂凭忠?b class="flag-6" style="color: red">突破功能，不僅大幅提升系統(tǒng)效能，并且不會(huì)增加成本。賽普拉斯以第四代專利 認(rèn)證中的高電壓傳送驅(qū)動(dòng)器為基礎(chǔ)，研發(fā)出一項(xiàng)
2012-03-02 09:10:53613 4月27日，英特爾宣布將于6月3日（北京時(shí)間6月4日）正式推出第四代酷睿處理器Haswell。
2013-04-28 10:18:011992 目前，英特爾正式宣布推出第四代Haswell酷睿處理器。全新的Haswell處理器將更好地解決目前業(yè)界計(jì)算性能與低功耗難題。
2013-06-03 10:14:451292 美國微芯科技公司宣布推出旗下第四代JukeBlox?平臺(tái)，助力各大音頻品牌開發(fā)高品質(zhì)、低延時(shí)產(chǎn)品，例如單機(jī)或多房間無線音箱、AV接收器、小型和微型系統(tǒng)及條形音箱等。
2014-12-11 14:48:33947 報(bào)告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價(jià)值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務(wù)知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)，介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器，為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:10:003684 
報(bào)告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價(jià)值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務(wù)知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)，介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器，為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:30:003698 
報(bào)告由LeCroy公司技術(shù)支持張昌駿先生發(fā)表了名為“第四代示波器的創(chuàng)新、卓越與價(jià)值”的演講。LeCroy公司是全球唯一一家專業(yè)專注于數(shù)字示波器的廠商。此次張昌駿先生以其嫻熟的業(yè)務(wù)知識(shí)與經(jīng)驗(yàn)，介紹了由LeCroy公司創(chuàng)新的領(lǐng)先世界的第四代示波器，為世界的工程發(fā)展產(chǎn)生了不可磨滅的影響。
2018-06-22 16:10:003701 
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出旗下第四代JukeBlox平臺(tái)，助力各大音頻品牌開發(fā)高品質(zhì)、低延時(shí)產(chǎn)品，例如單機(jī)或多房間無線音箱、AV接收器、小型和微型系統(tǒng)及條形音箱等。
2018-08-28 09:33:001463 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:32791 近日，福特汽車攜手自動(dòng)駕駛技術(shù)合作伙伴Argo AI在美國推出第四代自動(dòng)駕駛測試車。該車基于福特Escape（國產(chǎn)版本為福特銳際）混動(dòng)版車型打造，擁有道路感知和計(jì)算能力。福特將逐步把第四代自動(dòng)駕駛
2020-10-28 09:27:141906 2月22日消息，今天第四代惠普戰(zhàn)66銳龍版開啟預(yù)約，預(yù)約持續(xù)到2月28日，將于3月1日正式開賣，支持12期白條免息。
2021-02-23 10:13:513647 AN65--第四代LCD背光技術(shù)
2021-04-19 11:43:336 的視頻增強(qiáng)軟件公司IMINT Image Intelligence AB（簡稱“Imint”）今日宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的Vidhance第四代視頻防抖解決方案，引領(lǐng)智能手機(jī)性能的又一次范式變革。 全新的Vidhance第四代視頻防抖解決方案延續(xù)了Imint不斷突破視頻體驗(yàn)界限的表現(xiàn)。經(jīng)過領(lǐng)先的智能手機(jī)制造
2021-11-29 13:43:332229 德賽西威與高通技術(shù)公司宣布，雙方將基于第4代驍龍座艙平臺(tái)，共同打造德賽西威第四代智能座艙系統(tǒng)。
2022-01-05 14:25:233201 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:573461 
現(xiàn)預(yù)計(jì)蘋果自研的5G調(diào)制解調(diào)器要等到2025年才能進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。因此，第四代iPhone SE的發(fā)布時(shí)間也會(huì)相應(yīng)延后。第四代iPhone SE的計(jì)劃也隨之被推遲了。
2023-06-25 15:20:431194 納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
2023-09-07 14:30:15839 全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52263 在2024年的CES展會(huì)上，高通公司公布了其最新的第四代驍龍座艙平臺(tái)。這一新平臺(tái)旨在滿足汽車廠商對(duì)于打造獨(dú)特、差異化和品牌化體驗(yàn)的需求。
2024-01-11 14:27:41221
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