MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-07-26 08:30:00
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存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（SRAM）的快速、快閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性存儲(chǔ)。如今，透過磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)（MRAM），可望解決開發(fā)這種“萬能”存儲(chǔ)（可取代各種存儲(chǔ)）的問題。
2016-03-09 09:14:552235 的存儲(chǔ)器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲(chǔ)器，提高存儲(chǔ)性能。這篇文章將分析新的主要的基于無機(jī)材料的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，如鐵電存儲(chǔ)器 (FeRAM)、磁阻存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PCM)，以及主要的基于鐵電或?qū)щ婇_關(guān)聚合物等有
2017-12-18 10:02:215437 
8月5日，在美國舉行的MRAM開發(fā)者日活動(dòng)上，Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場的最新趨勢。他指出，MRAM作為下一代非易失性存儲(chǔ)器的替代者市場正在迅速擴(kuò)大。到2024年，MRAM的市場規(guī)模將增加40倍。
2019-08-08 12:02:2110043 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠兩個(gè)鐵磁層的（相對）磁化狀態(tài)來存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)器，這使得 MRAM 對緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計(jì)算越來越感興趣。
2022-07-26 11:08:342526 
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)（而不是隨時(shí)間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
MRAM與FRAM技術(shù)比較
2021-01-25 07:33:07
存儲(chǔ)器(DRAM)類似的高密度，而且還具有讀取無破壞性、無需消耗能量來進(jìn)行刷新等優(yōu)勢，因?yàn)榇朋w沒有漏電(leakage)之說。MRAM 與閃存（FLASH)同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同
2020-11-26 16:23:24
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin MRAM在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長最快的基礎(chǔ)。Everspin代理宇芯電子為用戶提供產(chǎn)品技術(shù)指導(dǎo)以及解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存儲(chǔ)原理
2020-12-31 07:41:19
來傳輸數(shù)據(jù)。SRAM兩種不同的位線連接到每一個(gè)單元,而MRAM只有一條位線,可以簡單的把位線與源線的結(jié)合看做替代。因?yàn)榛趕ram芯片的讀出放大器不能直接用于MRAM存儲(chǔ)器,故MRAM需要一個(gè)參考信號
2020-11-06 14:17:54
嗨，我們想用Spartan 6汽車級FPGA（XA6SLX100-2FGG484Q-ND）設(shè)計(jì)一種新的PCB。請為設(shè)計(jì)指定SPI配置閃存，因?yàn)閄ilinx（間接編程簡介 - SPI或BPI閃存）中列出的所有SPI閃存都是合法的。請建議替代SPI閃存。
2020-06-05 15:35:51
）總線。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代方案相比，串行MRAM具有卓越
2020-04-27 14:26:39
的？Everspin代理下面將解析關(guān)于MRAM內(nèi)存技術(shù)工作原理。 Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲(chǔ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)元件都將一個(gè)磁性隧道結(jié)
2020-08-31 13:59:46
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲(chǔ)技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM 的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)單元的核心仍然是一個(gè)MTJ，由兩層不同厚度的鐵磁層及一層幾個(gè)納米厚
2025-02-14 13:49:27
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)
2020-12-25 07:53:15
8Mb MRAM MR3A16ACMA35采用48引腳BGA封裝。MR3A16ACMA35的優(yōu)點(diǎn)與富士通FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：?更快的隨機(jī)訪問操作時(shí)間?高可靠性和數(shù)
2023-04-07 16:26:28
華為OceanStor Dorado V3是面向企業(yè)關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造的全閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)，采用專為閃存設(shè)計(jì)的FlashLink技術(shù)?！ 專為閃存設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)系統(tǒng)，通過創(chuàng)新的FlashLink技術(shù)
2018-11-29 11:41:44
復(fù)雜可編程邏輯器件—FPGA技術(shù)在近幾年的電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用越來越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲(chǔ)陣列等特點(diǎn)使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復(fù)雜控制邏輯、精確時(shí)序邏輯等場合的應(yīng)用。而應(yīng)用FPGA中的存儲(chǔ)功能目前還是一個(gè)較新的技術(shù)。
2019-10-12 07:32:24
配置歷史回顧當(dāng)FPGA首次面世時(shí)，可選擇的配置存儲(chǔ)器是并行EPROM或并行EEPROM產(chǎn)品。隨著時(shí)間的推移，NOR閃存技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，同時(shí)因其系統(tǒng)內(nèi)可重復(fù)編程性和高性價(jià)比而被廣泛采用。在第二次革命性轉(zhuǎn)折
2021-05-26 07:00:00
尋找電源領(lǐng)域的最新技術(shù)
2020-12-03 06:25:28
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
近日，德州儀器Pradeep Shenoy發(fā)表文章《尋找電源領(lǐng)域的最新技術(shù)？來APEC一探究竟》，以下是全部內(nèi)容： logo
2020-08-05 06:03:21
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
代表“0”。 這些單元的網(wǎng)格形成內(nèi)存設(shè)備。該技術(shù)不僅有望替代閃存，還可能替代DRAM 和 SRAM 內(nèi)存。但是，由于外部直流磁場導(dǎo)致長期施加的扭矩所帶來的干擾，MRAM 非常敏感。從飛思卡爾半導(dǎo)體
2014-04-22 16:29:09
Flash來存儲(chǔ)我的FPGA配置數(shù)據(jù)。XAPP058中描述的方法是否可以用于故障安全升級，因?yàn)閄CF32P只允許XC6SLX100的一個(gè)配置文件空間？有沒有什么方法可以使用SPI閃存啟動(dòng)選項(xiàng)實(shí)現(xiàn)FPGA
2019-05-30 10:05:15
矽朋微SST-MRAM技術(shù)特點(diǎn)：
高速：速度與DRAM相當(dāng)，比Flash快1萬倍
高擦寫次數(shù)：比NANDFlash多一千萬倍
CMOS兼容性好：可獨(dú)立、可嵌入式
掉電不丟失：MRAM可以斷電保存數(shù)據(jù)
2025-02-14 14:02:22
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
本文分別介紹了存儲(chǔ)器的分類、組成、層次結(jié)構(gòu)、常見存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)器的選擇，最后描述了計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的一些新技術(shù)。存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)
2021-09-09 07:47:39
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
作者：張水蘋摘要VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了
2019-07-23 07:25:23
行駛以及顯示駕駛員的盲點(diǎn)。 圖 1. ADAS 系統(tǒng)框圖 圖 1 為 ADAS 系統(tǒng)如何利用 MRAM 和 NOR 閃存的簡化框圖。外部 NOR 閃存通常用于存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼。然而，ADAS 系統(tǒng)中
2018-05-21 15:53:37
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存及EEPROM閃存，作為新一代計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。MRAM目前是新一代計(jì)算機(jī)內(nèi)存的最佳候選者，但不是唯一的，與它同期并存的還有FRAM(鐵電
2020-10-20 14:34:03
閃存存儲(chǔ)持續(xù)走強(qiáng)的推動(dòng)下，閃存存儲(chǔ)廠商將會(huì)獲得快速的發(fā)展。這也會(huì)推動(dòng)閃存存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)與創(chuàng)新，迸發(fā)出驚人的潛力，甚至在不遠(yuǎn)的將來引領(lǐng)世界閃存存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。本屆GSS18全球閃存峰會(huì)上匯聚了浪潮
2018-07-20 15:51:484502 MRAM （Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)），是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫入能力，具有
2018-12-20 16:04:581274 在第 64 屆國際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
2018-12-21 11:17:393342 MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，可與其他的NVM技術(shù)相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM （圖1）。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(diǎn)。雖然MRAM的擴(kuò)展性好，但其容量仍遠(yuǎn)低于NAND閃存， SSD中的高密度存儲(chǔ)介質(zhì)大都是NAND閃存。
2018-12-22 14:37:345081 過去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563381 MRAM)在新興非揮發(fā)存儲(chǔ)器中發(fā)展較為成熟，2018年主要供應(yīng)商Everspin營收可望年增36%，2019~2020年以后，隨GlobalFoundries、臺(tái)積電、三星、聯(lián)電等晶圓代工廠商逐步
2019-09-11 17:33:293510 紫光旗下的長江存儲(chǔ)邁出了國產(chǎn)閃存的重要一步，已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，基于長江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù)，核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001659 MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM通常被稱為存儲(chǔ)器的圣杯，具有快速，高密度和非易失性的特點(diǎn)，可以在單個(gè)芯片中替代當(dāng)今使用的所有類型的存儲(chǔ)器。 Everspin是全球唯一的磁性
2020-03-25 16:02:57989 eMRAM屬于新型存儲(chǔ)技術(shù)，同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯片的潛質(zhì)。它在22nm的工藝下投產(chǎn)，將會(huì)
2020-04-07 17:21:131446 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時(shí)實(shí)現(xiàn)非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17922 MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-08 15:01:551046 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312084 然而，嵌入式非易失性閃存IP的未來擴(kuò)展在更高級的節(jié)點(diǎn)上是無效的。一些替代的存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)被作為“閃存的替代品”來追求，例如相變存儲(chǔ)器（PCM）材料，電阻變化存儲(chǔ)器（RRAM），自旋轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)矩磁阻存儲(chǔ)
2020-06-30 11:01:335024 工藝，用于取代部分傳統(tǒng)的嵌入式快閃存儲(chǔ)器eFlash技術(shù)，而在嵌入式技術(shù)上，趨勢已快速成熟中。但用于獨(dú)立型存儲(chǔ)器上，目前還有性能、成本的問題待克服。 MRAM為磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，架構(gòu)是在晶體管中的存儲(chǔ)單元就在后端互聯(lián)，甚至不占用硅的面積
2020-06-30 16:21:581234 存儲(chǔ)器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場，在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581243 并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看，可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動(dòng)慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短等
2020-07-20 15:33:52838 高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備，通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。 對于Everspin而言，Toggle MRAM的成功正在幫助推動(dòng)其
2020-07-28 11:26:411058 隨著有希望的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器，新的SoC級存儲(chǔ)器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)
2020-08-04 17:24:263944 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122403 潮存儲(chǔ)作為新存儲(chǔ)引領(lǐng)者，以“云存智用 運(yùn)籌新數(shù)據(jù)”理念，加快布局閃存存儲(chǔ)步伐，針對用戶不同的應(yīng)用場景和需求，創(chuàng)新研發(fā)了浪潮新一代全閃存儲(chǔ)平臺(tái)HF系列。
2020-08-10 14:32:052559 MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?；?b class="flag-6" style="color: red">MRAM的設(shè)備可以為黑匣子應(yīng)用提供解決方案，因?yàn)樗許RAM的速度
2020-09-18 14:25:181301 
。串行MRAM實(shí)現(xiàn)了當(dāng)今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，從而允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲(chǔ)器替代方案相比，串行MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機(jī)和運(yùn)行能力以及更可靠的數(shù)據(jù)保留。 對于MRAM，基于Everspin
2020-09-19 09:33:053267 Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲(chǔ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)元件都將一個(gè)磁性隧道結(jié)
2020-09-19 09:52:052124 Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質(zhì)有以下幾大優(yōu)勢： 1. 非易失性存儲(chǔ)
2020-09-19 11:38:323046 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲(chǔ)器（NVRAM）未來的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲(chǔ)芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431637 對于存儲(chǔ)器而言，重要的技術(shù)指標(biāo)無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也許大家最為看重的是MRAM
2020-10-30 14:27:281459 磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM是一種新型存儲(chǔ)器，其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。同時(shí)非易失性MRAM存儲(chǔ)器也應(yīng)用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:48845 新興的記憶已經(jīng)存在了數(shù)十年。盡管有些人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)嵌入式技術(shù)在商業(yè)上取得了一定程度的成功，但它們也落后于離散存儲(chǔ)器的高性價(jià)比替代方案。盡管具有更高的性能，耐用性和保留性，或者降低了功耗。 磁阻
2020-11-20 15:45:59985 存儲(chǔ)器（DRAM）類似的高密度，而且還具有讀取無破壞性、無需消耗能量來進(jìn)行刷新等優(yōu)勢，因?yàn)榇朋w沒有漏電（leakage）之說。MRAM 與閃存（FLASH）同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同的優(yōu)點(diǎn)，并具有承受無限多次讀一寫循環(huán)的能力。（在自由磁體層
2020-11-25 14:32:191016 
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。 MRAM的存儲(chǔ)原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192830 
MRAM是一種以電阻為存儲(chǔ)方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問兩種特性，可以兼做內(nèi)存和硬盤的新型存儲(chǔ)介質(zhì)。寫入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10542 ，可以以高達(dá)28.5MHz的頻率進(jìn)行讀/寫操作。 在當(dāng)今的電子設(shè)備中有各種各樣的存儲(chǔ)器件，包括SRAM、DRAM、閃存以及硬盤等。不同的存儲(chǔ)器件有不同的特性，它們在使用壽命、讀寫速度、存儲(chǔ)容量/密度以及使用方式和價(jià)格等各方面都存在很大的差異，是無法互相替代的。所以在
2021-01-04 14:10:211350 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。 表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較 在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級。即使是與
2021-03-03 16:35:01559 MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:051212 Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用，如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計(jì)子系統(tǒng)中使用Everspin的溫度范圍更大的4Mbit
2021-04-30 17:17:53489 MRAM是一種利用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應(yīng)用。
2021-06-16 16:55:181099 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:192352 具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級。即使是與現(xiàn)
2021-12-07 15:21:10
8 高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
2022-01-26 18:46:465 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM 對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案，其讀寫速度
2022-06-29 17:08:021119 
一些自旋電子存儲(chǔ)器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲(chǔ)器，但它是基于鐵磁開關(guān)的。
2022-07-22 17:05:141983 MRAM是電池儲(chǔ)備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲(chǔ)器，使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件都不能全部擁有的。
2022-11-21 17:08:44763 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581670 MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快（寫入時(shí)間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點(diǎn)。
2023-01-07 11:10:126106 英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器?？?b class="flag-6" style="color: red">替代NOR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55325 全新的存儲(chǔ)器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器來說，具有很多方面獨(dú)特的優(yōu)勢，能夠在計(jì)算系統(tǒng)層級實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的計(jì)算性能、功耗和成本。
2023-03-20 11:39:191926 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)
2023-04-19 17:45:463804
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