2022 年 4 月 21日,中國(guó)——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)新的合作協(xié)議,四家公司計(jì)劃聯(lián)合制定行業(yè)的下一代 FD-SOI(全耗盡型絕緣體
2022-04-21 17:18:48
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本文論述并比較目前移動(dòng)平臺(tái)所采用的主要的多核處理技術(shù),重點(diǎn)介紹多核處理技術(shù)與意法·愛(ài)立信未來(lái)產(chǎn)品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技術(shù)之間的協(xié)同效應(yīng)
2013-02-03 14:19:00
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意法半導(dǎo)體宣布,其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz,在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:24
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意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器,有望突破更高性能,以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:09
1257 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里,半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:22
3744 格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝,以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求?!?2FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng),為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:18
1462 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德(Globalfoundries)日前開(kāi)發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái),以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:22
949 耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變,成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō),業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng),象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:03
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三星半導(dǎo)體(Samsung Semiconductor Inc.,SSI)的高層透露了該公司晶圓代工廠技術(shù)藍(lán)圖細(xì)節(jié),包括將擴(kuò)展其FD-SOI產(chǎn)能,以及提供現(xiàn)有FinFET制程的低成本替代方案。
2016-04-26 11:09:15
1199 Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露,其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市,而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:32
1132 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展,首先是
2016-07-28 08:50:14
1068 獲得英 特爾(Intel)、三星、臺(tái)積電(TSMC)等大廠采用的FinFET制程,號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗;但Jones指出,在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn),FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%,此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右,并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:02
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鰭式晶體管(FinFET)制程技術(shù)外,也投入全耗盡型絕緣層上覆硅(FD-SOI)市場(chǎng),并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái),搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:22
845 22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國(guó)所展示的,格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲(chǔ)
2017-09-25 17:21:09
8151 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí),FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯,人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:57
12372 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗盡平面晶體管)工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:19
9631 在美國(guó)的三星代工論壇上,Arm與三星Foundry、Cadence和Sondrel合作,展示了首款28納米FD-SOI eMRAM的物聯(lián)網(wǎng)測(cè)試芯片和開(kāi)發(fā)板。
2019-06-05 16:59:01
1398 萊迪思半導(dǎo)體位居全球FPGA廠商第三,雖然與前兩大公司賽靈思和英特爾(收購(gòu)Altera)的營(yíng)收有所差距,但作為以低功耗、小型化著稱的FPGA廠商在消費(fèi)類電子、工業(yè)等領(lǐng)域取得了成功。近年,其策略發(fā)生了重要的變化,推出了轉(zhuǎn)型之作。
2019-12-16 11:24:33
1893 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:41
5772 在工藝進(jìn)程方面,i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝,該工藝的優(yōu)勢(shì)在于能夠在提升處理器主頻性能的同時(shí),盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:33
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1. 推進(jìn)10 納米FD-SOI 先進(jìn)制程研發(fā), CEA-Leti 工藝引導(dǎo)線將于9 月開(kāi)工 ? 據(jù)外媒報(bào)道,歐洲三大微電子研究機(jī)構(gòu)之一的法國(guó)CEA-Leti正計(jì)劃新建一條工藝引導(dǎo)線,基于全耗盡
2023-07-20 10:54:19
428 和FD-SOI,其中RF-SOI作為一種重要的射頻芯片材料技術(shù),雖然很少被提及,但在很多設(shè)備上都有重要的應(yīng)用。 ? 射頻前端底層技術(shù) ? 射頻前端的重要性不言而喻,是任何通信系統(tǒng)核心中的核心,RF-SOI正是用于各種射頻器件,目前已經(jīng)是各類射頻應(yīng)用里主流的襯底,如射頻開(kāi)關(guān)、LNA、調(diào)諧器
2024-02-19 00:59:00
2466 FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)技術(shù)是一種新的工藝技術(shù),有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片,在相同的選件和金屬層條件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
適應(yīng)相控陣架構(gòu)、直接射頻采樣、波束成形和 5G 無(wú)線電等應(yīng)用。Alphacore 采用 GlobalFoundries 的 22nm FD-SOI 工藝設(shè)計(jì)了一款名為 A11B5G 的混合 ADC
2023-02-07 14:11:25
USB 芯片和軟件廠商飛特蒂亞(FTDI)公司發(fā)布一款靈活而強(qiáng)大的開(kāi)發(fā)平臺(tái) Morph-IC-II,可加速基于FPGA的應(yīng)用與制作,并簡(jiǎn)化先進(jìn)邏輯電路設(shè)計(jì)中整合高速480Mbit/s USB通訊作業(yè)
2019-07-03 08:29:05
量產(chǎn)中利用意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)。也是在這一年,三星成功生產(chǎn)了8Mb eMRAM,并利用28nmFDS,在2019年成功量產(chǎn)首款商用eMRAM。 據(jù)三星介紹,利用其28nmFDS工藝技術(shù)制作
2023-03-21 15:03:00
Qorvo與上海移遠(yuǎn)通信推出全球首款采用Phase 6解決方案的M2M/IoT模組
2021-03-11 07:14:58
`炎熱的夏季已悄然來(lái)臨,各種海邊游玩,漂流,游泳等水上運(yùn)動(dòng)與這個(gè)季節(jié)搭配的剛剛好,安全防范自主意識(shí)要增強(qiáng),國(guó)內(nèi)首款自救手環(huán)讓你在游泳漂流等各項(xiàng)水上運(yùn)動(dòng)放手去動(dòng),它是一種戶外緊急救生產(chǎn)品,主要是便于
2019-07-03 18:30:04
科技有限公司已可以提供商業(yè)化的SOI材料。在SOI器件和電路研制方面有中國(guó)科學(xué)院微電子研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第58所、航天時(shí)代集團(tuán)第七七一研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所等。 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
2011-07-06 14:11:29
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用?
2021-06-26 07:14:03
如何開(kāi)始著手學(xué)習(xí)或者說(shuō)有哪些相關(guān)的書籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士,您能否提供步驟和可能的圖表,以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線?提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
SOI 和體硅集成電路工藝平臺(tái)互補(bǔ)問(wèn)題的探討上海鐳芯電子有限公司鮑榮生摘要本文討論的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI(Bonding and Etch back SOI),由于在SOI 材料上制造的集成電
2009-12-14 11:35:16
10 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42
559 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域,靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的,為此,人們關(guān)注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:42
1508 IBM、ARM同一批半導(dǎo)體生產(chǎn)商正在進(jìn)行一項(xiàng)關(guān)于小功率SOI芯片組的研究計(jì)劃,打算將采用體硅制成的CMOS設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換成全耗盡型FD-SOI裝配。
2011-11-15 08:56:56
427 意法半導(dǎo)體(ST)、Soitec與CMP(Circuits Multi Projets)攜手宣佈,大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator,
2012-10-25 09:42:50
1201 日前,意法半導(dǎo)體(ST)宣布位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型(planar fully-depleted)技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:27
793 日前,依法愛(ài)立信推出一款支持LTE多模的高整合度智慧型手機(jī)平臺(tái),該平臺(tái)整合了全套無(wú)線功能,并擁有基于ARM Cortex-A9的2.5GHz eQuad應(yīng)用處理器。
2013-01-29 10:48:05
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意法愛(ài)立信發(fā)布了首個(gè)單射頻方案實(shí)現(xiàn)載波聚合的極速LTEAdvanced Modem平臺(tái)Thor M7450,以及采用了FD-SOI技術(shù)的3GHz NovaThor L8580處理器。
2013-02-26 16:26:51
864 意法半導(dǎo)體(ST)宣布意法半導(dǎo)體完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體元件(FD-SOI)技術(shù)榮獲2013年度電子成就獎(jiǎng)(ACE)能源技術(shù)獎(jiǎng)。根據(jù)客戶的節(jié)能與性能權(quán)衡策略,FD-SOI芯片本身可節(jié)約20%至50%的能耗,使終端設(shè)備可更快散熱,并實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命。
2013-05-10 09:06:43
913 AMD剝離出來(lái)的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來(lái)好消息,上海復(fù)旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22
912 據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力,格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:42
5975 集微網(wǎng)消息,格羅方德(GlobalFoundries)于 10 日宣布,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(ST)選擇采用格羅方德 22 納米 FD-SOI(22FDX)制程技術(shù)平臺(tái),以支持用于工業(yè)及消費(fèi)
2018-01-10 20:44:02
707 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效,近日傳來(lái)消息,又迎來(lái)意法半導(dǎo)體(ST)的大單進(jìn)補(bǔ),在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:03
1411 在工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展方面,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 ES Jung表示,三星晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展路線將包括FinFET和FD-SOI兩個(gè)方向,FD-SOI平臺(tái)路線如下圖。目前FD-SOI工藝主要
2018-04-10 17:30:00
1703 ST表示,與傳統(tǒng)的塊狀硅技術(shù)相較,FD-SOI能提供更好的晶體管靜電特性,而埋入氧化層能降低源極(source)與汲極(drain)之間的寄生電容;此外該技術(shù)能有效限制源極與汲極之間的電子流
2018-03-10 01:25:00
705 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù),除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程,以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn),各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:00
2368 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單,其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面,其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:13
4565 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM,實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖,從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上,專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:00
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加利福尼亞州圣克拉拉,2018年5月23日——格芯宣布,其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:00
1424 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro(其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)),三星代工廠(28納米工藝投產(chǎn)中,18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)),以及格芯代工廠(22納米工藝投產(chǎn)中,12納米計(jì)劃投產(chǎn))。
2018-08-02 11:35:24
4402 FD-SOI正獲得越來(lái)越多的市場(chǎng)關(guān)注。在5月份的晶圓代工論壇上,三星宣布他們有17種FD-SOI產(chǎn)品進(jìn)入大批量產(chǎn)階段。
2018-08-02 14:27:28
11603 今天,Globalfoundries(簡(jiǎn)稱GF)宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:01
2841 日前,格羅方德宣布停止7nm工藝的投資研發(fā),轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝和22/12nm FD-SOI工藝。
2018-09-03 16:41:42
5128 能在全球范圍內(nèi)收獲了超過(guò)20億美元的收益,并在超過(guò)50項(xiàng)客戶設(shè)計(jì)中得到采用。本次兩位中國(guó)客戶的成功流片再次印證了22FDX技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和靈活性。 格芯全球副總裁兼大中華區(qū)總經(jīng)理白農(nóng)先生表示:“22FDX 是業(yè)內(nèi)首個(gè) 22nm FD-SOI 平臺(tái),作為業(yè)界領(lǐng)先的低功耗芯片平臺(tái),它在全
2018-11-05 16:31:02
250 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng),滿足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求,確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00
495 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注,Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展,從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見(jiàn)一斑。
2018-12-23 16:45:12
2777 關(guān)鍵詞:自適應(yīng)體偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快節(jié)能型SoC設(shè)計(jì),推動(dòng)單芯片集成界限 格芯(GF)和領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP提供商Dolphin Integration今日宣布,雙方正在合作
2019-02-24 15:56:01
323 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58
964 據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-16 10:24:27
886 據(jù)報(bào)道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上,開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
2019-03-25 14:42:51
2985 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí),提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件,市場(chǎng)逐漸開(kāi)發(fā)出FD-SOI(完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管)結(jié)構(gòu);而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心,透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式,進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu),取代線寬較大(16~12nm)之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:20
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日前,格芯與Soitec宣布雙方已簽署多個(gè)長(zhǎng)期的300 mm SOI芯片長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議以滿足格芯的客戶對(duì)于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技術(shù)平臺(tái)日益增長(zhǎng)的需求。建立在兩家公司現(xiàn)有的密切關(guān)系上,此份協(xié)議即刻生效,以確保未來(lái)數(shù)年的高水平大批量生產(chǎn)。
2019-06-11 16:47:33
3457 但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智能駕駛這樣的新應(yīng)用對(duì)半導(dǎo)體提出了全新的挑戰(zhàn),而FinFET工藝也遇到了瓶頸,尤其是FinFET的制造、研發(fā)成本越來(lái)越高,已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是一般玩家能夠承受的起的了。
2019-09-05 10:40:38
3612 三星發(fā)力大家都樂(lè)了!
2019-08-06 16:18:35
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事實(shí)勝于雄辯,與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比,本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì),其震撼效果難以言傳!
2019-08-06 16:22:45
3340 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講,并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:00
3554 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:44
4274 三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:59
1051 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDXeMRAM,為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16
658 隨著摩爾定律的放緩以及登納德縮放比例定律和阿姆達(dá)爾定律接近瓶頸,異構(gòu)和加速時(shí)代已降臨,FPGA廠商在近期的大動(dòng)作也不斷,不斷刷新FPGA的容量。
2019-12-16 14:50:27
620 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái),發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:17
842 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor),基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái),發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門數(shù)組)產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:38
739 據(jù)外媒報(bào)道稱,GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開(kāi)發(fā),而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)。
2020-02-28 11:24:28
2405 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術(shù),該公司正在與幾個(gè)客戶合作,計(jì)劃在2020年實(shí)現(xiàn)多個(gè)流片。
2020-03-03 15:10:30
2185 據(jù)外媒報(bào)道稱,美國(guó)半導(dǎo)體晶圓代工廠商GlobalFoundries(格芯)宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開(kāi)發(fā),而這項(xiàng)技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲(chǔ)器(eMRAM)。
2020-03-03 15:57:27
490 近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平臺(tái),新型存儲(chǔ)器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲(chǔ)器)已投入生產(chǎn)。
2020-03-11 10:54:37
713 近日低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA,采用28nm FD-SOI 工藝平臺(tái)打造。該芯片與市場(chǎng)上同類產(chǎn)品相比最大的特點(diǎn)是其擁有領(lǐng)先的I/O密度,據(jù)了解
2020-07-03 08:57:36
770 萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開(kāi)始著手FPGA開(kāi)發(fā)工藝的創(chuàng)新,旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺(tái)。最終萊迪思成為業(yè)界首個(gè)支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)工藝的低功耗FPGA供應(yīng)商
2020-07-03 14:05:43
2395 “FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-06 17:03:36
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“FD-SOI使用的范圍非常廣,包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年,我們看到FD-SOI的使用量開(kāi)始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”,Soitec
2020-07-07 16:04:04
3335 去年12月,我們推出了全新低功耗FPGA開(kāi)發(fā)平臺(tái)Lattice Nexus?,這是業(yè)界首款采用28 nm FD-SOI制造工藝的低功耗FPGA平臺(tái)。Nexus在各個(gè)設(shè)計(jì)層面(從軟件解決方案到架構(gòu)
2020-07-10 10:03:00
524 Lattice Nexus是業(yè)界首個(gè)基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術(shù)平臺(tái),得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢(shì),基于該平臺(tái)的第一款產(chǎn)品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認(rèn)可
2020-07-15 19:28:42
815 ertus?-NX 是萊迪思 Nexus 技術(shù)平臺(tái)上的第二款產(chǎn)品,它將為更廣泛的應(yīng)用帶來(lái) FD-SOI 工藝的優(yōu)勢(shì)。這些通用 FPGA 提供低功耗、小尺寸和靈活的 I/O,PCIe Gen2 和千兆
2020-08-10 15:55:13
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Nexus 平臺(tái)的獨(dú)特之處在于采用了 FD-SOI 工藝。這與之前的 CMOS 工藝相比有很大區(qū)別,能夠極大降低功耗。如圖一所示,Certus?-NX 比英特爾和賽靈思的同類產(chǎn)品功耗低 3-4 倍。Certus?-NX 的配置時(shí)間極短,能夠讓系統(tǒng)快速啟動(dòng)。該器件還擁有驗(yàn)證和加密硬件模塊提升安全性。
2020-08-13 16:35:17
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重點(diǎn) ● 雙方在技術(shù)賦能方面的緊密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ (12nm FinFET) 以及22FDX (22nm FD-SOI) 平臺(tái)釋放最佳PPA潛能
2020-10-23 16:17:09
2050 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品,包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX,重新定義的Certus-NX,去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX,以及最新推出的CertusPro-NX,另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:44
5719 行業(yè)領(lǐng)先的功耗效率——通過(guò)利用萊迪思在FPGA架構(gòu)方面的創(chuàng)新和低功耗FD-SOI制造工藝,CertusPro-NX器件提供卓越的性能,同時(shí)功耗比同類競(jìng)品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:31
2338 機(jī)構(gòu)方面表示,新的fd-soi技術(shù)將與18、22、28納米的現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行互換,還將包括嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(envm)技術(shù)。該項(xiàng)目在法國(guó)政府的資助下被分離為《歐盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34
308 如今談起晶圓工藝,大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善階段的GAA,臺(tái)積電、三星、英特爾……無(wú)數(shù)廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙,不過(guò)卻鮮少有人知曉另一種與Fin-FET齊名的工藝。
2023-07-25 09:43:50
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道)2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行,論壇由芯原股份和新傲科技主辦,SEMI中國(guó)和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開(kāi)始每年舉行一次,上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:04
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在日前舉行的2023年第八屆上海FD-SOI論壇上,GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向產(chǎn)業(yè)介紹了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:38
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(電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng))在2023年第八屆上海FD SOI論壇上,全球知名半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)IBS公司CEO Handel Jones先生,公布了對(duì)2030年前的全球半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)的預(yù)測(cè),同時(shí),他也表示
2023-11-21 17:39:11
805 
谷歌 Pixel 6 拆解,FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46
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本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36
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據(jù)悉,FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù),能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制,相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù),新工藝大幅度提高了性能指標(biāo):能效提升 50%,數(shù)字密度增加三倍有余,并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:23
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