WINBOND/華邦 W25Q80DVSVIG-TR VSOP-8 NOR FLASH存儲(chǔ)器

1.概述W25Q80DV（8M位）串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案。25Q系列提供了遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。它們非常適合將代碼隱藏到RAM，直接從雙/四SPI（XIP）執(zhí)行代碼，并存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)。該設(shè)備在單個(gè)2.7V至3.6V電源上運(yùn)行，斷電時(shí)電流消耗低至1μa。所有設(shè)備均采用節(jié)省空間的包裝。W25Q80DV陣列被組織成4096個(gè)可編程頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面256字節(jié)。一次最多可編程256個(gè)字節(jié)掃描。頁(yè)面可以按16個(gè)組（4KB扇區(qū)擦除）、128個(gè)組（32KB塊擦除）、256個(gè)組（64KB塊擦除）或整個(gè)芯片（芯片擦除）擦除。W25Q80DV分別具有256個(gè)可擦除扇區(qū)和16個(gè)可擦除塊。小的4KB扇區(qū)允許在需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中實(shí)現(xiàn)更大的靈活性。（見(jiàn)圖2。）W25Q80DV支持標(biāo)準(zhǔn)串行外圍接口（SPI）、高性能雙/四路輸出以及雙/四I/O SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O 0（DI）、I/O 1（DO）、I/O 2（/WP）和I/O 3（/HOLD）。支持高達(dá)104MHz的SPI時(shí)鐘頻率，當(dāng)使用快速讀取雙/四I/O指令時(shí)，雙I/O允許208MHz（104MHz x 2）和四I/O允許416MHz（104MHzx 4）的等效時(shí)鐘速率。這些傳輸速率可以?xún)?yōu)于標(biāo)準(zhǔn)異步8位和16位并行閃存。Hold引腳、Write Protect引腳和可編程寫(xiě)入保護(hù)，具有頂部、底部或互補(bǔ)陣列控制，提供了進(jìn)一步的控制靈活性。此外，該設(shè)備支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和具有64位唯一序列號(hào)的設(shè)備標(biāo)識(shí)。

2.特點(diǎn)? SpiFlash存儲(chǔ)器系列–W25Q80DV:8M位/1M字節(jié)（1048576）–每個(gè)可編程頁(yè)面256字節(jié)–標(biāo)準(zhǔn)SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–雙SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP和/Hold–四SPI：CLK、/CS、IO0、IOS1、IO2、IO3–統(tǒng)一4KB扇區(qū)、32KB和64KB塊? 最高性能串行閃存–104MHz雙/四SPI時(shí)鐘–208/416MHz等效雙/四SPI–50MB/S連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率? 軟件和硬件寫(xiě)入保護(hù)–寫(xiě)入保護(hù)全部或部分內(nèi)存–啟用/禁用帶有/WP引腳的保護(hù)–頂部或底部陣列保護(hù)? 具有4KB扇區(qū)的靈活體系結(jié)構(gòu)–統(tǒng)一扇區(qū)/塊擦除（4/32/64千字節(jié)）–編程1到256字節(jié)<0.8毫秒–擦除/編程掛起和恢復(fù)–超過(guò)100000個(gè)擦除/寫(xiě)入周期–超過(guò)20年的數(shù)據(jù)保留期? 低功率、寬溫度范圍–單個(gè)2.7至3.6V電源–<1μA斷電（典型值）? 空間高效封裝（1）：–8引腳SOIC 150 mil/208 mil，VSOP 150 mil–8焊盤(pán)WSON 6x5 mm，USON 2x3 mm–8引腳PDIP 300 mil–八球WLCSP–聯(lián)系Winbond了解KGD和其他選項(xiàng)注1。有些包裝類(lèi)型是特殊訂單，請(qǐng)聯(lián)系Winbond了解訂購(gòu)信息。