1.概述W29N08GV（8G位）NAND閃存為空間、引腳和電源有限的嵌入式系統(tǒng)提供了一種存儲解決方案。它非常適合將代碼隱藏到RAM、固態(tài)應用程序和存儲媒體數(shù)據(jù)，如語音、視頻、文本和照片。該設備在2.7V至3.6V的單一電源上工作，在3V和20uA的CMOS待機電流下，有源電流消耗低至25mA。存儲器陣列總計1107296256個字節(jié)，并被組織成135168個字節(jié)的8192個可擦除塊。每個塊由64個可編程頁組成，每個可編程頁有2112個字節(jié)。每個頁面由2048個字節(jié)組成，用于主數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，64個字節(jié)用于備用數(shù)據(jù)區(qū)域（備用區(qū)域通常用于錯誤管理功能）。W29N08GV支持使用多路復用8位總線傳輸數(shù)據(jù)、地址和命令指令的標準NAND閃存接口。CLE、ALE、#CE、#RE和#WE這五個控制信號處理總線接口協(xié)議。此外，該設備還有另外兩個信號引腳，#WP（寫保護）和RY/#BY（就緒/忙碌），用于監(jiān)測設備狀態(tài)。
2.特點? 基本功能–密度：8Gbit（2芯片堆疊解決方案）–Vcc:2.7V至3.6V–總線寬度：x8–工作溫度? 工業(yè)：-40°C至85°C? 單電平單元（SLC）技術(shù)。? 組織–密度：8G位/1G字節(jié)–頁面大小? 2112字節(jié)（2048+64字節(jié)）–塊大小? 64頁（128K+4K字節(jié)）? 最高性能–讀取性能（最大）? 隨機閱讀：25 us? 順序讀取周期：25ns–寫入擦除性能? 頁面程序時間：250us（典型值）? 塊擦除時間：2ms（典型）–耐久性100000擦除/編程周期（1）–10年數(shù)據(jù)保留? 命令集–標準NAND命令集–附加命令支持? 順序緩存讀取? 隨機緩存讀取? 緩存程序? 復制回? 雙平面操作-接觸Winbond以實現(xiàn)OTP功能-接觸Winbond以實現(xiàn)塊鎖定功能? 最低功耗-讀?。?5mA（典型）-編程/擦除：25mA? 空間高效包裝–48針標準TSOP1–63球VFBGA–聯(lián)系Winbond以獲得堆疊包裝/KGD
