WINBOND/華邦 W9864G6JH-6 TSOP54 SDRAM存儲(chǔ)器

1.概述W9864G6JH是一種高速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM），組織為1M字? 4個(gè)銀行? 16位。W9864G6JH提供高達(dá)每秒200M字的數(shù)據(jù)帶寬。對(duì)于不同的應(yīng)用，W9864G6JH可分為以下速度等級(jí)：-5/-6/-6I/-6A/-7/-7S。-5部分可以運(yùn)行高達(dá)200MHz/CL3。-6/-6I/-6A部件可運(yùn)行高達(dá)166MHz/CL3（-6I工業(yè)級(jí)，-6A汽車級(jí)，保證支持-40°C~85°C）。-7/-7部件最高可運(yùn)行143MHz/CL3，tRP=18nS。對(duì)SDRAM的訪問(wèn)是面向突發(fā)的。當(dāng)ACTIVE命令選擇一個(gè)存儲(chǔ)體和行時(shí)，可以以1、2、4、8或整頁(yè)的突發(fā)長(zhǎng)度訪問(wèn)一頁(yè)中的連續(xù)存儲(chǔ)器位置。列地址由SDRAM內(nèi)部計(jì)數(shù)器在突發(fā)操作中自動(dòng)生成。通過(guò)在每個(gè)時(shí)鐘周期提供其地址，隨機(jī)列讀取也是可能的。多個(gè)存儲(chǔ)體的性質(zhì)使得內(nèi)部存儲(chǔ)體之間能夠交錯(cuò)以隱藏預(yù)充電時(shí)間。通過(guò)具有可編程模式寄存器，該系統(tǒng)可以改變突發(fā)長(zhǎng)度、延遲周期、交織器順序突發(fā)，以最大限度地提高其性能。W9864G6JH是高性能應(yīng)用程序中主存儲(chǔ)器的理想選擇

2.特點(diǎn)? -5/-6/-6I/-6A速度等級(jí)電源為3.3V±0.3V? 2.-7/-7S速度等級(jí)電源的7V~3.6V? 1048576字? 4個(gè)銀行? 16位組織? 自刷新電流：標(biāo)準(zhǔn)和低功率? CAS延遲：2和3? 突發(fā)長(zhǎng)度：1、2、4、8和整頁(yè)? 順序和交錯(cuò)突發(fā)? 字節(jié)數(shù)據(jù)由LDQM、UDQM控制? 自動(dòng)預(yù)充電和受控預(yù)充電? 突發(fā)讀取，單次寫入操作? 4K刷新周期/64mS? 接口：LVTTL? TSOP II 54引腳400密耳封裝，采用無(wú)鉛材料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)