WINBOND/華邦 W25X40CLSSIG SOP8 NOR FLASH存儲(chǔ)器

1.概述W25X40CL（4M位）串行閃存為空間、引腳和電源有限的系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案。25X系列提供了遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。它們是代碼下載應(yīng)用程序以及存儲(chǔ)語音、文本和數(shù)據(jù)的理想選擇。這些設(shè)備在單個(gè)2.3V至3.6V電源上運(yùn)行，電流消耗低至1mA有源，1μa斷電。所有設(shè)備均采用節(jié)省空間的包裝。W25X40CL陣列被組織成2048個(gè)可編程頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面256字節(jié)。一次最多可編程256字節(jié)。W25X40CL具有128個(gè)可擦除扇區(qū)、16個(gè)可擦除32KB塊和8個(gè)可擦除64KB塊。小型4KB扇區(qū)在需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中具有更大的靈活性。（見圖2。）W25X40CL支持標(biāo)準(zhǔn)串行外圍接口（SPI）、高性能雙輸出以及雙I/O SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)DI（I/O 0）、DO（I/O 1）。支持高達(dá)104MHz的SPI時(shí)鐘頻率，使用快速讀取雙輸出指令時(shí)允許208MHz的等效時(shí)鐘速率。這些傳輸速率與8位和16位并行閃存的傳輸速率相當(dāng)。連續(xù)讀取模式允許以最少16個(gè)時(shí)鐘的指令開銷進(jìn)行高效的內(nèi)存訪問，以讀取24位地址，從而實(shí)現(xiàn)真正的XIP（就地執(zhí)行）操作。Hold引腳、Write Protect引腳和可編程寫保護(hù)，具有頂部或底部陣列控制功能，提供了進(jìn)一步的控制靈活性。此外，該設(shè)備支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和具有64位唯一序列號(hào)的設(shè)備標(biāo)識(shí)。

2.特點(diǎn)? 串行閃存系列–W25X40CL:4M位/512K字節(jié)（524288）–每個(gè)可編程頁(yè)面256字節(jié)–統(tǒng)一可擦除4KB、32KB和64KB區(qū)域。? 帶單/雙輸出/I/O的SPI–標(biāo)準(zhǔn)SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold–雙SPI:CLK、/CS，IO0、IO1、/WP和/Hold? 高達(dá)208M位/秒的數(shù)據(jù)傳輸–時(shí)鐘操作至104MHz–208MHz等效雙SPI–自動(dòng)遞增讀取功能? 高效的“連續(xù)讀取模式”–低指令開銷–連續(xù)讀取–尋址內(nèi)存的時(shí)鐘數(shù)只有16個(gè)–允許真正的XIP（就地執(zhí)行）操作? 具有4KB扇區(qū)的靈活體系結(jié)構(gòu)–統(tǒng)一扇區(qū)/塊擦除（4/32/64千字節(jié)）–頁(yè)面程序最高可達(dá)256字節(jié)<1ms–超過100000個(gè)擦除/寫入周期–超過20年的數(shù)據(jù)保留期? 低功率，寬溫度范圍-單個(gè)2.3V至3.6V電源-1mA有功電流，<1μA斷電（典型）--40°C至+85°C工作范圍? 空間高效封裝–8引腳SOIC 150 mil/VSOP 150 mil–8引腳SOIC 208 mil–8-引腳PDIP 300 mil–八焊盤WSON 6x5 mm–8-焊盤USON 2x3 mm–8-引腳PDIP 300 mil-聯(lián)系Winbond了解KGD和其他選項(xiàng)