WINBOND/華邦 W25Q128JVEIQ TR WSON8 NAND FLASH存儲(chǔ)器

1.概述W25Q128JV（128M位）串行閃存為具有有限空間、引腳和電源的系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案。25Q系列提供了遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出普通串行閃存設(shè)備的靈活性和性能。它們非常適合將代碼隱藏到RAM，直接從雙/四SPI（XIP）執(zhí)行代碼，并存儲(chǔ)語(yǔ)音、文本和數(shù)據(jù)。該設(shè)備在單個(gè)2.7V至3.6V電源上運(yùn)行，斷電時(shí)電流消耗低至1μa。所有設(shè)備均采用節(jié)省空間的包裝。W25Q128JV陣列被組織成65536個(gè)可編程頁(yè)面，每個(gè)頁(yè)面256字節(jié)。一次最多可編程256個(gè)字節(jié)掃描。頁(yè)面可以按16個(gè)組（4KB扇區(qū)擦除）、128個(gè)組（32KB塊擦除）、256個(gè)組（64KB塊擦除）或整個(gè)芯片（芯片擦除）擦除。W25Q128JVM分別具有4096個(gè)可擦除扇區(qū)和256個(gè)可擦除塊。小的4KB扇區(qū)允許在需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中實(shí)現(xiàn)更大的靈活性。（見(jiàn)圖2。）W25Q128JV支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）、雙/四路I/O SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O 0（DI）、I/O 1（DO）、I/O O2和I/O O3。支持高達(dá)133MHz的W25Q128JVSPI時(shí)鐘頻率，當(dāng)使用快速讀取雙/四I/O時(shí)，雙I/O允許266MHz（133MHz x 2）的等效時(shí)鐘速率，四I/O允許532MHz（133MHzx 4）的等效頻率。這些傳輸速率無(wú)法執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)異步8和16位并行閃存。此外，該設(shè)備支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID和SFDP，以及64位唯一序列號(hào)和三個(gè)256字節(jié)的安全寄存器

2.特點(diǎn)? 新系列SpiFlash存儲(chǔ)器–W25Q128JV:128M位/16M字節(jié)–標(biāo)準(zhǔn)SPI:CLK、/CS、DI、DO–雙SPI:CLK、/CS，IO0、IO1–四SPI：CLK、/CS和IO0，IO1、IO2、IO3–軟件和硬件重置（1）? 最高性能串行閃存–133MHz單、雙/四SPI時(shí)鐘–266/532MHz等效雙/四SPI–66MB/S連續(xù)數(shù)據(jù)傳輸速率–每個(gè)扇區(qū)至少100K程序擦除周期–數(shù)據(jù)保留時(shí)間超過(guò)20年? 高效的“連續(xù)讀取”–具有8/16/32/64字節(jié)環(huán)繞的連續(xù)讀取–尋址內(nèi)存的時(shí)鐘數(shù)僅為8個(gè)–允許真正的XIP（就地執(zhí)行）操作? 低功率、寬溫度范圍–單個(gè)2.7至3.6V電源–<1μA斷電（典型）–-40°C至+85°C工作范圍–-40°C.至+105°C? 具有4KB扇區(qū)的靈活架構(gòu)-統(tǒng)一扇區(qū)/塊擦除（4K/32K/64K字節(jié)）-每個(gè)可編程頁(yè)面編程1到256字節(jié)-擦除/程序掛起和恢復(fù)? 高級(jí)安全功能–軟件和硬件寫(xiě)入保護(hù)–電源鎖定–特殊OTP保護(hù)–頂部/底部，互補(bǔ)陣列保護(hù)–單個(gè)塊/扇區(qū)陣列保護(hù)–每個(gè)設(shè)備的64位唯一ID–可發(fā)現(xiàn)參數(shù)（SFDP）寄存器–3X256字節(jié)帶OTP鎖的安全寄存器–易失性和非易失性狀態(tài)寄存器位? 空間高效封裝–8引腳SOIC 208 mil–16引腳SOIC 300 mil（額外/RESET引腳）–8焊盤(pán)WSON 6x5 mm/8x6 mm–24球TFBGA 8x6 mm（6x4/5x5球陣列）–24球WLCSP–聯(lián)系Winbond獲取KGD和其他選項(xiàng)注：1。硬件/RESET引腳僅在TFBGA或SOIC16封裝上可用