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深圳市宏源世紀科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機,存儲器,MOS場效應(yīng)管,LED驅(qū)動產(chǎn)品。

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WINBOND/華邦 W9751G6NB-25 FBGA-84 DDR SDRAM存儲器

型號: W9751G6NB-25

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 W9751G6NB-25
  • 數(shù)量 5100
  • 封裝 FBGA-84
  • 品牌 WINBOND/華邦
  • 批次 最新批次

--- 產(chǎn)品詳情 ---

1.概述W9751G6NB是一個512M位DDR2 SDRAM,組織為8388608個字? 4個銀行? 16位。該設(shè)備可實現(xiàn)高達1066Mbps(DDR2-1066)的高速傳輸速率,適用于各種應(yīng)用。W9751G6NB分為以下速度等級:-18、-25、-3、18I、25I、-3I、18J、25Jand-3J。-18、18I和18J級零件符合DDR2-1066(7-7-7)規(guī)范(保證支持-40°C≤TCASE≤95°C的18I工業(yè)級,保證支持-40℃≤TCASE≥105°C的18 J工業(yè)級)。-25、25I和25J級零件符合DDR2-800(5-5-5)或DDR2-800。-3、-3I和-3J級零件符合DDR2-667(5-5-5)規(guī)范(-3I工業(yè)級零件保證支持-40°C≤TCASE≤95°C,-3J工業(yè)級零件則保證支持-40℃≤TCASE≥105°C)。所有的控制和地址輸入都與一對外部提供的差分鎖同步。輸入被鎖存在差分時鐘的交叉點(CLK上升和CLK下降)。所有I/O都以源同步方式與單端DQS或差分DQS-DQSpair同步。

2.特點? 電源:VDD,VDDQ=1.8V±0.1V? 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu):每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸? CAS延遲:3、4、5、6和7? 突發(fā)長度:4和8? 雙向差分數(shù)據(jù)選通(DQS和DQS)與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收? 邊緣與讀取數(shù)據(jù)對齊,中心與寫入數(shù)據(jù)對齊? DLL將DQ和DQS轉(zhuǎn)換與時鐘對齊? 差分時鐘輸入(CLK和CLK)? 寫入數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)掩碼(DM)? 在每個正CLK邊緣、數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼上輸入的命令都參考DQS的兩個邊緣? PostedCAS支持可編程附加延遲,提高命令和數(shù)據(jù)總線效率? 讀取延遲=加性延遲加CAS延遲(RL=AL+CL)? 片外驅(qū)動器阻抗調(diào)整(OCD)和片內(nèi)端接(ODT),以獲得更好的信號質(zhì)量? 讀取和寫入突發(fā)的自動預(yù)充電操作? 自動刷新和自刷新模式? 預(yù)充電斷電和主動斷電? 寫入數(shù)據(jù)掩碼? 寫入延遲=讀取延遲-1(WL=RL-1)? 接口:SSTL_18? 封裝在VFBGA 84球(8x12.5 mm2,厚度1.0 mm)中,使用符合RoHS的無鉛材料

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