1.概述W9812G6KH是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），組織為2M個字? 4個銀行? 16位。W9812G6KH可提供高達每秒200M字的數(shù)據(jù)帶寬。為了完全符合個人計算機工業(yè)標準，W9812G6KH分為以下速度等級：-5、-5I、-5J、-6、-6I、-6J和-75。-5/-5I級零件符合200MHz/CL3規(guī)范（-5I工業(yè)級保證支持-40°C≤TA≤85°C，-5J工業(yè)級保證支持-40°C＜TA≤105°C）。-6/-6I級零件符合166MHz/CL3規(guī)范（保證支持-40°C≤TA≤85°C的-6I工業(yè)級零件，保證支持-40℃≤TA≤105°C的-6 J工業(yè)級零件）。-75級零件符合133MHz/CL3規(guī)范。對SDRAM的訪問是面向突發(fā)的。當ACTIVE命令選擇一個存儲體和行時，可以以1、2、4、8或整頁的突發(fā)長度訪問一頁中的連續(xù)存儲器位置。列地址由SDRAM內(nèi)部計數(shù)器在突發(fā)操作中自動生成。通過在每個時鐘周期提供其地址，隨機列讀取也是可能的。多個銀行的性質(zhì)使得內(nèi)部銀行之間能夠交錯，以隱藏預充電時間。通過具有可編程模式寄存器，系統(tǒng)可以改變突發(fā)長度、延遲周期、交織或順序突發(fā)，以最大限度地提高其性能。W9812G6KH是高性能應用程序中主存儲器的理想選擇。
2.特點? 3.3V±0.3V電源? 高達200 MHz的時鐘頻率? 2097152字? 4個銀行? 16位組織? 自刷新模式? CAS延遲：2和3? 突發(fā)長度：1、2、4、8和整頁? 突發(fā)讀取、單次寫入模式? 字節(jié)數(shù)據(jù)由LDQM、UDQM控制? 斷電模式? 自動預充電和受控預充電? 4K刷新周期/64 mS，@-40°C≤TA≤85°C? 4K刷新周期/16mS，@-40°C≤TA≤105°C? 接口：LVTTL? 封裝在TSOP II 54引腳，400密耳，使用無鉛材料，符合RoHS要求注：不支持TA>85°C的自刷新功能
