BSS84LT1G-VB一款SOT23封裝P—Channel場(chǎng)效應(yīng)MOS管

BSS84LT1G-VB 是VBsemi品牌的P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有以下詳細(xì)參數(shù)：

- 封裝：SOT23
- 最大承受電壓：-60V
- 最大漏極電流：-0.5A
- 靜態(tài)漏極-源極電阻：RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：Vth = -1.87V

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
適用于低功耗、小尺寸電子設(shè)備，特別是需要P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用場(chǎng)景。

**示例應(yīng)用領(lǐng)域及模塊:**
1. **電源管理模塊：** 用于低電壓、低功耗的電源開關(guān)控制。
2. **信號(hào)開關(guān)：** 在信號(hào)切換和路由控制中發(fā)揮作用，保證信號(hào)質(zhì)量。
3. **電池管理：** 用于電池保護(hù)和電流控制，延長(zhǎng)電池壽命。
4. **LED驅(qū)動(dòng)：** 控制LED的開關(guān)，調(diào)整亮度。

這些特性使得 BSS84LT1G-VB 適用于各種小型便攜設(shè)備和低功耗應(yīng)用，如智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、便攜式醫(yī)療設(shè)備等。