**BSS84(Z)-VB Transistor**
- **絲?。⊿ilkscreen）:** VB264K
- **品牌（Brand）:** VBsemi
- **參數(shù)（Parameters）:**
- 封裝類型（Package Type）: SOT23
- 溝道類型（Channel Type）: P—Channel
- 最大承受電壓（Maximum VDS）: -60V
- 最大漏極電流（Maximum ID）: -0.5A
- RDS(ON)：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Threshold Voltage）: -1.87V
- **封裝（Package）:** SOT23
**詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：**
該BSS84(Z)-VB晶體管采用SOT23封裝，是一款P—Channel溝道MOSFET。其最大承受電壓為-60V，最大漏極電流為-0.5A。在VGS=10V和VGS=20V時，RDS(ON)分別為3000mΩ，閾值電壓為-1.87V。
**應(yīng)用領(lǐng)域和示例：**
1. **電源管理模塊：** 由于BSS84(Z)-VB具有較高的承受電壓和適度的漏極電流，適合用于電源管理模塊，如穩(wěn)壓器和開關(guān)電源。
2. **信號放大器：** 在需要P—Channel MOSFET進(jìn)行信號放大的場景中，該晶體管可用于信號放大器模塊。
3. **電流控制模塊：** 由于其低閾值電壓和可控制的漏極電流，可用于設(shè)計電流控制模塊，如電流源或電流控制開關(guān)。
4. **電池保護(hù)：** 在需要保護(hù)電池免受過電流和過電壓的損害時，可以應(yīng)用于電池保護(hù)模塊。
請注意，以上示例僅為參考，實際應(yīng)用可能因具體設(shè)計要求而異。在設(shè)計中，請始終參考數(shù)據(jù)手冊和規(guī)格說明以確保正確使用和性能。
