AP4521GEM-VB一款SOP8封裝N+P—Channel場效應(yīng)MOS管

產(chǎn)品型號: AP4521GEM-VB
絲印: VBA5638
品牌: VBsemi

參數(shù):
- 通道類型: N+P-Channel
- 最大耐壓: ±60V
- 靜態(tài)電流: 6.5A (正向) / -5A (反向)
- 開啟電阻: RDS(ON) = 28mΩ @ VGS = 10V, RDS(ON) = 51mΩ @ VGS = 20V
- 閾值電壓: ±1.9V
- 封裝: SOP8

應(yīng)用簡介:
AP4521GEM-VB是一款N+P-Channel溝道MOSFET，具有高耐壓、低開啟電阻和低靜態(tài)電流等特點(diǎn)，適用于多種電力控制和調(diào)節(jié)應(yīng)用。

示例應(yīng)用:
1. DC-DC 變換器: 由于其低開啟電阻和高耐壓特性，AP4521GEM-VB可用作DC-DC變換器的開關(guān)管，實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。
2. 電源管理模塊: 在電源管理模塊中，該器件可用于穩(wěn)壓和過載保護(hù)電路，確保電路穩(wěn)定可靠。
3. 電機(jī)驅(qū)動: 由于其能夠承受較高電流和耐壓，可用于電機(jī)驅(qū)動模塊，如電動汽車控制系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動器。

通過在這些領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用，AP4521GEM-VB可實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的電力控制，滿足不同應(yīng)用場景的需求。