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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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AFN3424AS23RG-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): AFN3424AS23RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi AFN3424AS23RG-VB 晶體管:

- 類(lèi)型:N-溝道
- 額定電壓:30V
- 額定電流:6.5A
- 開(kāi)關(guān)電阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:1.2~2.2V
- 封裝:SOT23

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
適用于電子領(lǐng)域,特別是需要 N-溝道 MOSFET 的高性能應(yīng)用。具體用途包括功率放大、開(kāi)關(guān)電源、電源管理等。

**主要特點(diǎn):**
1. 高額定電流和低開(kāi)關(guān)電阻,適用于高功率應(yīng)用。
2. 低閾值電壓,有助于實(shí)現(xiàn)精確的電源控制。

**領(lǐng)域和模塊應(yīng)用:**
1. **功率放大器模塊:** 由于高額定電流和低開(kāi)關(guān)電阻,適用于設(shè)計(jì)要求高功率放大的電子設(shè)備。
2. **開(kāi)關(guān)電源模塊:** 在開(kāi)關(guān)電源中的功率開(kāi)關(guān)階段,確保高效的電能轉(zhuǎn)換。
3. **電源管理模塊:** 在電源管理電路中,用于實(shí)現(xiàn)有效的電源控制和調(diào)整。

**注意事項(xiàng):**
在設(shè)計(jì)中,請(qǐng)確保按照廠商提供的數(shù)據(jù)手冊(cè)和應(yīng)用筆記來(lái)正確使用該晶體管,以確保最佳性能和可靠性。

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